XHP-7-R 时间：2025/12/27 16:23:01 阅读：15

XHP-7-R是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET晶体管，常用于电源管理、开关电路以及负载开关等应用中。该器件采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装，是一种小型表面贴装器件，适合在空间受限的印刷电路板上使用。XHP-7-R以其高可靠性、低导通电阻和良好的热稳定性著称，广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统及DC-DC转换器中。
　　作为一款P沟道MOSFET，XHP-7-R在栅极施加负电压相对于源极时导通，适用于高边开关配置，能够在不增加额外驱动电路的情况下实现对负载的有效控制。其设计优化了开关速度与功耗之间的平衡，有助于提高系统的整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-2.1A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-4.2A
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻RDS(on)：@ VGS = -4.5V: 95mΩ (典型值)
　　导通电阻RDS(on)：@ VGS = -2.5V: 130mΩ (典型值)
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V 至 -1.5V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：220pF @ VDS=10V
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关断时间（Toff）：约25ns

特性

XHP-7-R具备优异的电气性能和热稳定性，适用于多种低压电源开关场景。其P沟道结构允许在高边开关应用中直接由逻辑信号控制，无需复杂的电平移位电路，从而简化了系统设计并降低了成本。当栅极为低电平时，器件导通，使电源能够流向负载；而在栅极为高电平时则截止，切断电源路径，实现高效的电源管理功能。
　　该器件的低导通电阻特性显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了能效，尤其适合电池供电设备以延长续航时间。例如，在移动设备中用作电池开关或电源路径控制器时，XHP-7-R能够在待机模式下有效隔离负载，防止漏电流导致的电量浪费。同时，其快速的开关响应能力确保了在动态负载变化下仍能保持稳定的输出电压。
　　XHP-7-R还具有良好的抗噪声干扰能力和较高的栅极耐用性，能够在复杂电磁环境中稳定运行。内置的体二极管提供了反向电流保护，避免因感性负载产生的反电动势损坏其他电路元件。此外，SOT-23封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，通过PCB布局可实现有效的热传导，进一步提升器件在持续高负载条件下的可靠性。

应用

XHP-7-R广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关和负载管理模块。它也常用于各类电池管理系统（BMS），作为充放电通路的控制开关，实现对电池的安全接入与断开。此外，在DC-DC转换器、LDO后级开关、热插拔电路以及各类低电压数字控制系统中，XHP-7-R都能发挥出色的开关性能。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，XHP-7-R可用于控制外设电源的启停，实现按需供电以降低整机功耗。例如，在传感器模块或无线通信单元中，仅在需要工作时才开启电源，其余时间保持关闭状态，从而显著节省能源。同时，由于其具备一定的过载承受能力，也可用于短时大电流脉冲驱动场合，如LED闪光灯驱动或小型电机控制。
　　工业自动化设备、医疗仪器以及物联网终端设备中也常见XHP-7-R的身影，主要用于实现远程电源控制、故障隔离和系统节能等功能。其高集成度和高可靠性的特点使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。