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1N4685 发布时间 时间:2025/6/18 19:49:16 查看 阅读:4

1N4685是一种常见的硅材料玻璃封装整流二极管,属于1N46系列。该器件主要用于低电流和高电压整流应用中。其额定反向峰值电压为1000V,正向平均整流电流为1A。1N4685在开关电源、脉冲电路以及各种保护电路中有着广泛应用。
  1N4685采用轴向引线封装,便于安装在印刷电路板或直接用于原型设计。由于其出色的耐压能力,这款二极管特别适合需要较高反向电压的电路设计。

参数

最大反向电压:1000V
  正向电流(Io):1A
  正向电压降(Vf):约1V(在IF=1A时)
  反向漏电流:5μA(在25℃时)
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:DO-41玻璃封装

特性

1N4685具有以下关键特性:
  1. 高额定反向电压(1000V),使其适用于高压环境下的整流任务。
  2. 良好的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定的性能。
  3. 硅PN结结构,确保较低的正向电压降,从而减少功率损耗。
  4. 反向恢复时间较短,适配于高频整流场景。
  5. 封装坚固耐用,玻璃外壳提供良好的机械保护和电气绝缘性能。
  这些特点使得1N4685成为电力电子设备中非常可靠的整流元件。

应用

1N4685的应用领域包括但不限于:
  1. 开关电源中的整流和箝位功能。作为瞬态电压抑制器使用。
  3. 脉冲电路中的信号整流。
  4. 逆变器和转换器电路中的辅助整流。
  5. 工业控制和家用电器中的电源部分。
  6. 各类电子设备中的简单直流转换任务。
  该二极管的高耐压能力使其在高压应用场景下尤为适用。

替代型号

1N4686
  1N4687
  1N4688
  1N4689
  1N4690

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1N4685参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 齐纳电压3.6 V
  • 电压容差5 %
  • 齐纳电流75 mA
  • 功率耗散500 mW
  • 最大反向漏泄电流7.5 uA
  • 最大工作温度+ 200 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体DO-35
  • 最小工作温度- 65 C
  • 电压调节准确度950 mV