类型：P沟道
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（VDS）：-50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：-115 mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-300 mA
　　最大功耗（PD）：250 mW
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 4.5 Ω @ VGS = -10 V；最大值 7 Ω @ VGS = -10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 -1.0 V；范围 -0.6 V 至 -2.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 12 pF @ VDS = -10 V, f = 1 MHz
　　输出电容（Coss）：约 5 pF @ VDS = -10 V, f = 1 MHz
　　反向传输电容（Crss）：约 0.8 pF @ VDS = -10 V, f = 1 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SOT-23 (TO-236AB)

BSS92TA的电气特性使其在低功耗开关应用中表现出色。其-50V的最大漏源电压允许它在多种低压直流系统中安全运行，例如电池供电设备或工业控制模块。该器件的阈值电压范围为-0.6V至-2.0V，确保在较低的栅极驱动电压下即可实现有效导通，适合与3.3V或5V逻辑电平直接接口，无需额外电平转换电路。
　　该MOSFET在VGS = -10V时的导通电阻典型值仅为4.5Ω，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。同时，其最大连续漏极电流可达-115mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯或其他低电流负载。
　　BSS92TA具有非常低的输入、输出和反馈电容（Ciss、Coss、Crss），这使其在高频开关应用中具有快速的开关响应速度，减少开关延迟和上升/下降时间，适用于需要快速通断控制的数字电路。
　　该器件还具备良好的热稳定性，最大功耗为250mW，在适当的PCB布局和散热条件下可长期稳定工作。其-55°C至+150°C的工作结温范围表明其可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。此外，该器件内部集成了一定程度的ESD保护，提高了在装配和使用过程中的抗静电能力，减少了因静电损伤导致的失效风险。综合来看，BSS92TA是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于各种对尺寸、功耗和响应速度有较高要求的应用场景。

BSS92TA广泛应用于各类消费类电子和工业控制设备中，主要用于信号开关、电源切换和逻辑电平转换等功能。在便携式设备如智能手机、平板电脑和智能手表中，常被用作电池供电路径的高边开关，通过微控制器的GPIO引脚控制电源的通断，以实现节能待机或系统复位功能。
　　在LED驱动电路中，BSS92TA可用于控制小功率LED的亮灭，尤其适用于指示灯或背光控制，其低导通电阻减少了能量损耗，延长了电池续航时间。
　　在数字逻辑接口电路中，该器件可用于实现不同电压域之间的电平转换，例如将5V系统的控制信号转换为3.3V系统可识别的电平，或者反向操作，确保信号完整性的同时避免过压损坏敏感元件。
　　此外，BSS92TA也常用于继电器或蜂鸣器的驱动电路中，作为驱动三极管的前置开关，起到隔离和放大作用，提升整体驱动能力。
　　在电源管理单元（PMU）中，它可以作为负载开关，控制外围模块的供电，实现按需上电，降低静态功耗。
　　由于其小型封装和高可靠性，BSS92TA也被广泛用于医疗设备、传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）和智能家居产品中，执行电源控制或信号路由功能。其工业级温度范围也使其适用于车载电子、工控仪表等严苛环境下的应用。

BSS92T, BSS92, ZVP2106A, FMMT718, MMBT3904