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D820HS1 发布时间 时间:2025/8/15 8:09:02 查看 阅读:11

D820HS1 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高功率密度的电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源开关、电机控制以及各种高电流负载驱动电路中。D820HS1 通常采用表面贴装的封装形式,便于在PCB上进行安装和散热管理。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):120A
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(Rds(on)):最大3.7mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):100W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP(表面贴装)

特性

D820HS1 的核心优势在于其极低的导通电阻,这显著降低了在高电流条件下的功率损耗,从而提高了系统效率。其低Rds(on)特性使其在高负载应用中表现尤为出色,例如在服务器电源、电信设备、工业控制系统以及电动车的电池管理系统中。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行。
  该MOSFET采用了先进的沟槽式结构,优化了电流传导路径,提升了电流承载能力和动态响应性能。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体电源转换效率。D820HS1 还具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在极端条件下提供更好的可靠性和耐用性。
  从封装角度来看,D820HS1 使用的是表面贴装技术(SMT),便于自动化生产并提高PCB布局的灵活性。该封装设计也有助于优化散热性能,确保在高功率运行时仍能保持良好的温度控制。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的电子产品。

应用

D820HS1 主要应用于需要高效率、高电流开关能力的场合,如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动自行车、无人机等便携式设备的电源管理模块。此外,它也广泛用于工业自动化设备、服务器电源、通信电源、UPS(不间断电源)、电机驱动和负载开关等应用场景。
  在DC-DC转换器中,D820HS1 可作为高侧或低侧开关使用,其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率。在电池管理系统中,该器件可用于实现高精度的充放电控制和保护功能。在电机控制应用中,D820HS1 能够提供高效的功率输出,支持电机的平稳运行和精确控制。
  由于其优异的热管理和高可靠性,D820HS1 在高功率密度和高环境温度的应用中表现尤为出色,是现代高性能电源设计中的理想选择。

替代型号

SiR142DP, IRF1324S-7PP, SQJQ144EP

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