AM2300E3R 是一款由 Advanced Monolithic Devices 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于高效率的电源转换应用。这款 MOSFET 设计用于在高压和高电流条件下工作,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
AM2300E3R 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下能够提供高达 110A 的连续漏极电流,使其适用于高功率密度应用。
此外,AM2300E3R 采用先进的工艺技术,具有出色的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。其最大工作温度可达 175°C,适合在恶劣的工业和汽车环境中使用。
该 MOSFET 还具有快速的开关性能,有助于减少开关损耗,提高系统的整体能效。由于其快速的上升和下降时间,AM2300E3R 在高频开关应用中表现优异,如同步整流器和高频 DC-DC 转换器。
AM2300E3R 采用 TO-263(D2PAK)封装,具有良好的散热性能,能够有效将热量从芯片传导到 PCB 或散热片上。这种封装形式也便于自动化生产和焊接,适合大批量制造应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,支持多种驱动电路设计。在低电压驱动条件下(如 4.5V),该器件依然能够保持较低的导通电阻,确保系统的稳定性和效率。
AM2300E3R 主要应用于需要高效率和高性能的电源管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件广泛用于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制电路中。
在同步整流器应用中,AM2300E3R 可以替代传统的肖特基二极管,以降低导通损耗并提高转换效率。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,提供高效的电源转换解决方案。
在负载开关应用中,AM2300E3R 可用于控制高电流负载的开启和关闭,如电源管理模块中的风扇控制、LED 照明系统以及工业自动化设备中的执行器控制。
此外,该器件也适用于电池管理系统,如电动工具、电动汽车和储能系统中的电池充放电控制。由于其优异的热性能和可靠性,AM2300E3R 在汽车电子和工业控制领域也得到了广泛应用。
SiR178DP-T1-GE3, IRF1710ZPBF, FDS6680