容量：1M × 16位
　　电压：5V
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　最大工作频率：约166MHz

HM5118165BTT-6具备多项显著特性，适用于高性能存储应用。首先，其高速访问时间为5.4ns，使得数据读写效率显著提高，适合需要快速响应的系统。该芯片支持166MHz的工作频率，能够满足高速数据处理的需求。
　　 此外，HM5118165BTT-6采用低功耗设计，在保证高性能的同时，降低了整体功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。其TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了散热性能，增强了芯片在高负载环境下的稳定性。
　　 HM5118165BTT-6具备宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），使其能够适应各种恶劣的工业环境。这种工业级的温度耐受性确保了芯片在高温或低温条件下仍能稳定运行。
　　 该DRAM芯片的1M × 16位存储架构提供了较大的数据存储能力，适用于需要大容量存储的系统，如图形处理设备、工业控制模块和高端嵌入式平台。

HM5118165BTT-6广泛应用于需要高速存储的电子系统中。典型应用包括个人计算机、工作站、工业控制器、嵌入式系统以及需要高速缓存的通信设备。由于其高频率支持和低延迟特性，它也常用于图形加速器和高端显示系统中，以提升图像处理速度和系统响应能力。此外，该芯片还可用于测试设备、自动化控制系统和数据采集设备，确保在复杂环境下稳定运行。

HM5118165BTT-6的替代型号包括ISSI的IS42S16100B-6T和Micron的MT48LC16M1A2B4-6A。