时间：2025/12/29 15:22:50
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D50N06是一款常见的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关领域。这款器件由多家制造商生产，如STMicroelectronics、ON Semiconductor等，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种中高功率电子系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C至+175°C
D50N06具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。其高耐压能力使其适用于多种电源转换系统。此外，该器件具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。D50N06还具备较高的热稳定性，能够在高功率密度环境下保持良好的性能。该MOSFET的封装形式通常为TO-220或D2PAK，便于散热和安装。
在制造工艺方面，D50N06采用了先进的沟槽栅极技术，提高了器件的稳定性和可靠性。其栅极驱动电路设计相对简单，能够与常见的PWM控制器直接兼容。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，在过载或异常工作条件下仍能保持稳定运行。
D50N06常用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、电源开关、逆变器、UPS系统、LED驱动电源以及各种工业控制设备。在汽车电子系统中，该器件也广泛应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动水泵等场合。此外，D50N06还可用于电源管理系统、太阳能逆变器和储能系统等高功率应用领域。
IRFZ44N, FDP50N06, STP55NF06, IRLZ44N, Si444N
