类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

SRF3418 的主要特性之一是其极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 Rds(on) 典型值为 5.2mΩ，在 10V 栅极驱动电压下可实现高效的功率传输。此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达 180A，适合高功率密度设计。
　　其采用的 TO-252 封装不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的热管理性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
　　SRF3418 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V 的最大栅源电压，允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电路进行高效控制。这使得它能够兼容多种 PWM 控制器和驱动 IC，提高了设计的灵活性。此外，该器件具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。

SRF3418 主要应用于需要高电流和低导通损耗的功率电子系统。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、服务器电源模块和汽车电子系统（如车载充电器和电机控制器）。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于高性能电源模块和需要高效能比的应用场景。
　　在 DC-DC 转换器中，SRF3418 常用于同步整流拓扑结构中的高边或低边开关，以提高转换效率并减少热量产生。在电机控制电路中，它可以作为 H 桥结构中的主开关元件，实现精确的速度和扭矩控制。此外，该 MOSFET 也广泛用于高功率负载开关，例如电源管理模块中的热插拔保护和负载切换控制。

SiR3418DP-T1-GE3, IRF180N30D, IPW90R045C3, AUIRF180N30D