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APT30M70BVRG 发布时间 时间:2025/12/24 16:56:52 查看 阅读:11

APT30M70BVRG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的功率MOSFET晶体管,属于高压、大电流功率场效应晶体管。该器件适用于需要高效率、高可靠性和高性能的电力电子系统。APT30M70BVRG采用TO-263封装,是一种表面贴装器件,适用于多种电源转换应用。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):700V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):约55mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):约150nC
  最大工作温度:150°C
  封装形式:TO-263
  安装方式:表面贴装

特性

APT30M70BVRG具有低导通电阻和高电流能力,这使其在高功率应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和超结结构,从而显著降低了导通损耗并提高了效率。其700V的漏源电压额定值使其适用于多种高电压应用,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动和照明系统。
  此外,APT30M70BVRG具备良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在高温环境下运行。其表面贴装的TO-263封装设计有助于提高PCB布局的紧凑性和自动化生产效率。
  该MOSFET还具备较低的开关损耗,能够在高频工作条件下保持高效率。这对于提高电源系统的整体性能和减小电源体积具有重要意义。同时,其高耐用性和抗过载能力也使其在恶劣工作条件下具有良好的稳定性。

应用

APT30M70BVRG广泛应用于各类高功率电力电子设备中,包括:
  ? 开关电源(SMPS)
  ? 逆变器系统(如太阳能逆变器)
  ? 电机控制和驱动器
  ? 电力调节器和稳压器
  ? 工业自动化和控制系统
  ? 高强度放电(HID)照明系统
  由于其高耐压和大电流能力,APT30M70BVRG特别适合需要高效能和高可靠性的工业和通信电源应用。

替代型号

STW34NB20, IXFH30N60Q2, FCP220N60W

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APT30M70BVRG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS V®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5870pF @ 25V
  • 功率 - 最大370W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件