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D45H8G 发布时间 时间:2023/1/29 17:13:09 查看 阅读:650

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V

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概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大):10μA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 4A, 1V
功率 - 最大:2W
频率 - 转换:40MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-220AB
其它名称:D45H8GOS

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D45H8G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换40MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称D45H8GOS