类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

MJ4640具备多个关键特性，使其适用于高功率开关应用。首先，其高漏源击穿电压（900V）使其适用于高电压电源转换和电机控制应用。其次，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）为0.65Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，MJ4640的栅极驱动电压范围宽（±30V），提高了其在不同控制电路中的兼容性。
　　该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。同时，其最大漏极电流可达12A，适用于中高功率负载。MJ4640还具备较高的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行，减少了因过热导致的系统故障风险。
　　此外，该MOSFET的开关速度较快，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和逆变器系统。其耐用的结构设计也使其适用于工业环境中的长期运行。

MJ4640广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业自动化领域，该MOSFET可用于电机驱动器和继电器控制电路，提供高效的开关控制。在电源管理系统中，MJ4640适用于开关电源（SMPS）、UPS（不间断电源）和DC-AC逆变器，能够有效提升能源转换效率。
　　此外，该器件也常用于太阳能逆变器和电池管理系统，用于控制大功率负载的切换。在电动工具和电动车控制系统中，MJ4640可用于功率调节和电机控制，确保设备在高负载下的稳定运行。
　　由于其高耐压和高电流能力，MJ4640还可用于LED照明驱动、工业加热设备以及高功率LED显示屏等应用。其优良的热稳定性和封装散热能力，使其适用于长期运行的高可靠性系统。

IRF840, FQA12N90C, STF9NK90Z