BUZ211 时间：2025/8/25 6:06:58 阅读：34

BUZ211是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件专为高电流和高功率应用设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。BUZ211采用TO-220封装形式，具备良好的热性能和电流承载能力，是一款广泛应用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的功率MOSFET。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUZ211具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大仅为2.2mΩ，有助于在高电流应用中实现更小的电压降和更低的功率损耗。
　　其次，BUZ211具备较高的连续漏极电流能力，最大可达50A，适用于高功率密度设计。此外，其最大漏源电压为60V，适用于多种中低压功率转换系统。
　　该器件还具有良好的热稳定性和过载保护能力，TO-220封装提供良好的散热性能，确保在高功率应用下的可靠性。其工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，适用于严苛环境条件下的应用，如汽车电子和工业自动化系统。
　　此外，BUZ211的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，提高了设计的灵活性，并可在不同驱动条件下保持稳定工作。

应用

BUZ211广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电源管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。
　　在工业自动化和控制系统中，BUZ211适用于高效率开关电源（SMPS）、电机控制模块以及各种功率负载的驱动电路。此外，该器件还可用于消费类电子产品中的电源管理和能量转换模块，例如台式机主板的VRM（电压调节模块）、LED照明驱动电路等。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，BUZ211也常用于需要长时间高负载运行的应用场景，如服务器电源、工业电机控制以及工业自动化设备中的功率开关。