BUZ211是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由英飞凌(Infineon)公司生产。该器件专为高电流和高功率应用设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。BUZ211采用TO-220封装形式,具备良好的热性能和电流承载能力,是一款广泛应用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的功率MOSFET。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):最大2.2mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220
BUZ211具有多个优异的电气和热性能特点。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大仅为2.2mΩ,有助于在高电流应用中实现更小的电压降和更低的功率损耗。
其次,BUZ211具备较高的连续漏极电流能力,最大可达50A,适用于高功率密度设计。此外,其最大漏源电压为60V,适用于多种中低压功率转换系统。
该器件还具有良好的热稳定性和过载保护能力,TO-220封装提供良好的散热性能,确保在高功率应用下的可靠性。其工作温度范围广泛,从-55°C到+175°C,适用于严苛环境条件下的应用,如汽车电子和工业自动化系统。
此外,BUZ211的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅源电压,提高了设计的灵活性,并可在不同驱动条件下保持稳定工作。
BUZ211广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电源管理系统。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制模块等应用。
在工业自动化和控制系统中,BUZ211适用于高效率开关电源(SMPS)、电机控制模块以及各种功率负载的驱动电路。此外,该器件还可用于消费类电子产品中的电源管理和能量转换模块,例如台式机主板的VRM(电压调节模块)、LED照明驱动电路等。
由于其高可靠性和良好的热性能,BUZ211也常用于需要长时间高负载运行的应用场景,如服务器电源、工业电机控制以及工业自动化设备中的功率开关。
IPB04N06N3, STP50NF06, FDP50N06