MAT14ARZ-R7 时间：2025/12/25 20:39:45 阅读：9

MAT14ARZ-R7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23（SC-59）封装，适用于便携式电子设备中的电源管理与信号开关应用。该器件设计用于在低电压和低功耗环境中高效工作，具备较低的栅极电荷和导通电阻，能够在有限的空间内实现高效的功率控制。由于其小尺寸封装和优良的电气性能，MAT14ARZ-R7广泛应用于手持设备、电池供电系统、负载开关、电压转换电路以及各类需要空间优化的消费类电子产品中。该MOSFET符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子制造的需求。器件通过精确的工艺控制确保了稳定的阈值电压和良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内可靠运行，满足严苛的工作环境要求。此外，其SOT-23封装便于自动化贴片生产，提升了制造效率并降低了整体成本。

参数

类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　连续漏极电流（Id）：-2.3A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：-6.9A
　　导通电阻Rds(on)：-85mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：-100mΩ @ Vgs = -2.5V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷（Qg）：5.7nC @ Vds = -10V, Id = -1.15A
　　输入电容（Ciss）：290pF @ Vds = -10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23（SC-59）

特性

MAT14ARZ-R7的P沟道MOSFET结构使其在电源开关应用中无需额外的驱动电路即可实现高边或低边开关功能，尤其适用于电池供电系统中的负载切换与电源关断控制。其最大-20V的漏源电压允许其在多种低压直流系统中安全运行，例如3.3V、5V电源轨控制。在Vgs = -4.5V条件下，典型导通电阻仅为85mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统能效。即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V下，Rds(on)也仅上升至100mΩ，保证了在逻辑电平控制下的良好性能。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 5.7nC），有助于减少开关过程中的驱动功率消耗，并加快开关速度，从而提升高频开关应用中的整体效率。同时，其输入电容（Ciss）为290pF，反向传输电容（Crss）为50pF，在高频噪声抑制和米勒效应控制方面表现出色，有利于提高电路稳定性。阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了器件在不同工艺偏差下的可靠开启，避免误触发问题。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（约2.8mm x 1.6mm），还具备良好的散热性能，通过PCB布局可有效将热量传导至地平面。该封装形式兼容标准回流焊工艺，支持高速自动化装配，适用于大规模生产。器件符合AEC-Q101可靠性标准的部分要求，具备高抗湿性、耐热循环能力及长期稳定性。此外，MAT14ARZ-R7采用无卤素（Halogen-free）材料设计，满足现代电子产品对环保法规的要求。

应用

MAT14ARZ-R7常用于需要紧凑设计和高效电源管理的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池电源开关与负载隔离；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关使用；用于USB端口的过流保护与热插拔控制；也可在LED背光驱动电路中实现亮度调节与通断控制。此外，该器件适用于各种小型电机驱动、传感器模块的电源使能控制、以及多电源域系统的上电时序管理。由于其快速响应特性和低静态功耗，特别适合待机模式下的电源切断功能，以延长电池续航时间。在工业控制领域，可用于PLC模块中的信号切换与继电器替代方案。同时，因其高可靠性与宽温度范围，也可应用于汽车电子中的非动力总成类低压系统，如车载信息娱乐系统的电源管理单元。