类型：N沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：2900pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间（trr）：35ns

D2498R 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为5.5mΩ，这可以显著降低在高电流下的功率损耗，提高系统的效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频率开关应用中表现出色，具备快速的开关速度和较低的开关损耗。D2498R 还具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，适合在高负载环境下运行。其栅极驱动电压范围宽，可在10V至20V之间工作，提供更灵活的驱动选择。该器件还具备较高的耐用性和可靠性，适合工业级和汽车级应用。
　　D2498R 的封装设计优化了散热性能，确保在高电流和高功率条件下仍能保持较低的温度上升。这种封装形式也便于自动化生产和焊接，适用于现代SMT（表面贴装技术）工艺。另外，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。

D2498R 常用于各种高功率和高频率的电子系统中。在电源领域，它被广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路中，以提高转换效率和降低发热。在电机控制方面，该器件可用于H桥驱动和PWM控制，适用于电动工具、电动车和工业自动化设备。此外，D2498R 还适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池的充放电过程，确保电池组的安全运行。在汽车电子领域，它可用于车载逆变器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。在工业设备中，该MOSFET可用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等关键电路。

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