晶体管类型：NPN 双极性晶体管阵列
　　最大集电极电流（Ic）：10A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
　　最大功耗（Ptot）：100W
　　电流增益（hFE）：500 - 1000（具体值取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

MU10-10RHTK 采用高性能硅材料制造，具备出色的导通和开关性能。该器件的两个 NPN 晶体管采用共射极配置，可在高电流条件下提供稳定的放大性能。其高电流承载能力（最大集电极电流为10A）使其适用于高功率放大和开关应用。
　　该晶体管的 Vce（集电极-发射极电压）最大可达100V，适用于中高压电路设计。此外，其最大功耗为100W，能够在较高温度环境下稳定运行，具备良好的热稳定性。
　　封装方面，MU10-10RHTK 采用 TO-263（D2PAK）封装形式，属于表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和高密度 PCB 布局，适用于现代电子设备的紧凑型设计。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种工业环境，具备良好的耐候性和可靠性。其 hFE（电流增益）在不同工作电流下可达到500至1000，提供出色的放大性能，适合多种控制和驱动应用。

MU10-10RHTK 主要应用于工业控制、电源管理和电机驱动等高功率电子系统中。其高电流和高电压特性使其适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和功率放大器设计。此外，该器件可用于电机控制电路、继电器驱动和高功率 LED 驱动电路。
　　在自动化设备和工业机械中，MU10-10RHTK 常用于控制大功率负载，如加热元件、风扇和执行机构。由于其良好的热稳定性和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制模块。
　　在消费类电子产品中，MU10-10RHTK 可用于高功率音频放大器和电源管理模块。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化生产流程，提高制造效率和产品一致性。

TIP120, TIP122, MJF15034G, BU806