时间：2025/8/16 10:01:08
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TGA2524-SM 是一款由 Qorvo（原 TriQuint）推出的高性能 GaN（氮化镓）功率放大器芯片，广泛应用于无线通信系统中的射频功率放大场景。该器件基于高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有高功率密度、高效率和优异的热稳定性，适用于从2.3 GHz到2.7 GHz频段的多种无线基础设施应用，包括4G LTE、5G、WiMAX、专网通信和军事通信系统。
工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
输出功率：典型值为 25 W（P3dB）
增益：约 18 dB
效率（PAE）：约 60%
电源电压：28 V
封装形式：表面贴装（SMD），符合 RoHS 标准
输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
TGA2524-SM 具有出色的射频性能和可靠性。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术，提供高功率密度和优异的热管理能力，使其在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
其高增益和高效率特性使其非常适合用于基站和通信基础设施中的主功率放大器或驱动放大器。此外，TGA2524-SM 的宽带设计使其在2.3 GHz至2.7 GHz范围内均能提供稳定的性能，无需额外的匹配网络调整即可支持多频段操作。
该芯片还具有良好的线性度和失真特性，适用于需要高数据速率和频谱纯度的应用场景，例如5G NR和高阶调制格式的无线系统。其封装设计便于散热，适用于高密度PCB布局和自动化组装流程，降低了制造成本并提高了生产效率。
TGA2524-SM 主要用于无线通信基础设施领域，如4G/5G宏基站、微基站、WiMAX基站和专网通信设备。此外，它也适用于雷达、测试仪器、工业控制系统和军事通信等需要高功率射频放大的场合。该器件的高效率和宽带性能使其在多种无线标准和协议中均可使用，提高了系统设计的灵活性和兼容性。
TGA2550-SM, TGA2523-SM
