型号：K4H510438B-TCB0
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3L SDRAM
　　容量：8Gb (1G×8)
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　数据速率：最高支持1600 Mbps (DDR3-1600)
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　组织结构：8 Banks × 1Gbit
　　时钟频率：最大800MHz
　　工作温度：0°C 至 +85°C（商业级）
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　访问时间：约13.75ns（CL=11）
　　接口类型：CMOS
　　支持功能：突发读写、低功耗模式、温度补偿自刷新（TCSR）

K4H510438B-TCB0作为一款低电压DDR3L SDRAM芯片，具备多项先进特性以满足现代电子系统对高性能与节能的双重需求。
　　首先，其核心特性之一是低电压运行能力，标称供电电压为1.35V，相比传统DDR3内存的1.5V显著降低功耗，尤其适合电池供电或热管理严格的设备，如超极本、平板电脑和便携式工业终端。这种电压优化不仅减少了静态功耗，也降低了散热压力，有助于提升整机续航能力和稳定性。
　　其次，该芯片支持高达1600Mbps的数据传输速率（即DDR3-1600规格），等效时钟频率为800MHz，配合8位宽的数据总线，能够提供持续的高速数据吞吐能力，适用于图形处理、多任务操作系统和实时数据采集等应用场景。
　　再者，K4H510438B-TCB0集成了温度补偿自刷新（TCSR）技术，可根据环境温度动态调整自刷新周期，在高温下增加刷新频率以防止数据丢失，低温时则减少刷新次数以节省电力，从而在保证数据完整性的同时实现最优能耗平衡。
　　此外，该器件拥有8个独立的Bank结构，允许交错访问不同Bank中的数据，大幅提高并发操作效率，减少等待时间，提升整体带宽利用率。它还支持多种突发长度配置（如BL=4、BL=8）和突发顺序选择，增强了与不同控制器的适配灵活性。
　　最后，该芯片采用96球FBGA封装，体积紧凑，引脚间距细密，适合高密度表面贴装工艺，并具备良好的信号完整性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。所有这些特性共同构成了K4H510438B-TCB0在性能、功耗、可靠性和集成度方面的综合优势。

K4H510438B-TCB0因其低功耗、高性能和高可靠性的特点，被广泛应用于多个领域的电子系统中。
　　在消费类电子产品方面，该芯片常见于笔记本电脑、超轻薄本（Ultrabook）、一体机（AIO）和个人数字助理（PDA）等设备中，作为主内存或图形缓存使用，支持流畅的多任务处理和高清视频播放体验。由于其DDR3L的低电压特性，特别适合用于强调电池续航能力的移动平台。
　　在嵌入式系统领域，K4H510438B-TCB0被集成于工控主板、网络路由器、IP摄像头、智能电视盒及POS终端中，为嵌入式处理器提供必要的运行内存资源，支撑Linux、Android或其他实时操作系统的稳定运行。
　　工业自动化设备也是其重要应用方向，例如PLC控制器、人机界面（HMI）、数据采集模块和机器视觉系统，这些设备往往需要在较宽温度范围内长期连续工作，而该芯片的工业级温度选项和高可靠性恰好满足此类需求。
　　此外，在通信基础设施中，如小型基站、接入网关和光网络单元（ONU），K4H510438B-TCB0可用于缓存协议数据包或暂存运算中间结果，提升系统响应速度。
　　随着物联网的发展，一些高端IoT网关和边缘计算节点也开始采用此类高性能DRAM来应对日益增长的数据处理压力。总体而言，凡是需要兼顾速度、功耗与空间限制的应用场景，都是K4H510438B-TCB0的理想用武之地。

K4B1G0846F-BCB0
　　MT41K1G8JT-125:A
　　IS43TR16256B-125BLI
　　EM68A160TS-25D