型号：CY7C136-25JCT
　　制造商：Cypress Semiconductor（现属英飞凌科技）
　　存储容量：256K × 16位（4Mbit）
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：25ns
　　封装类型：84-pin PLCC（JCT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：异步SRAM，地址/数据复用可选
　　供电电流（最大）：约120mA（典型值随频率变化）
　　输入电平：TTL兼容
　　刷新要求：无（静态RAM）
　　数据保持电压：最小2V

CY7C136-25JCT具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。首先，其25ns的快速访问时间确保了在高频率操作下仍能保持低延迟的数据响应能力，这对于实时控制系统至关重要。其次，该芯片支持地址与数据线的复用模式，通过配置可以有效减少外部引脚数量，简化PCB布线复杂度，尤其适用于引脚资源受限的设计环境。此外，CY7C136-25JCT提供双片选控制信号（CE1和CE2），允许灵活的存储空间划分与多芯片级联扩展，从而实现更大容量的内存阵列构建。该器件还集成了输出使能（OE）和写使能（WE）独立控制逻辑，支持精确的读写操作时序管理，避免总线冲突并提升系统稳定性。在功耗方面，尽管是5V供电器件，但其CMOS工艺保证了相对较低的动态功耗，并在待机模式下显著降低电流消耗，延长系统整体能效表现。CY7C136-25JCT具有高抗干扰能力和宽温工作范围，能够在电磁噪声较强的工业现场或户外设备中稳定运行。其PLCC封装不仅便于自动化贴装，也支持返修操作，提升了生产良率和维护便利性。另外，该SRAM无需刷新电路即可长期保持数据，降低了系统设计复杂度，避免了DRAM常见的刷新中断问题，特别适合用于固态记录、图像缓冲和高速数据采集等场景。所有输入端均内置上拉或下拉电阻，增强了信号完整性，减少了外部匹配元件的需求。
　　值得一提的是，CY7C136-25JCT遵循JEDEC标准规范制造，具备良好的互换性和供应链可靠性。虽然目前该型号已逐步进入停产阶段，但在许多 legacy 工业设备和军工项目中仍有广泛应用，部分第三方厂商也提供兼容替代方案以延续生命周期支持。其内部存储阵列采用静态锁存结构，每个存储单元由六个晶体管构成，确保数据在供电期间持续稳定保持，不会因漏电导致信息丢失。这种架构使得CY7C136-25JCT在断电前始终能可靠地保存关键状态信息，配合备用电源可实现非易失性数据保护功能。总体而言，该芯片在速度、可靠性、接口灵活性和环境适应性之间取得了良好平衡，是传统高性能异步SRAM应用中的经典代表之一。

CY7C136-25JCT被广泛应用于多个高要求的技术领域。在通信基础设施中，它常用于网络交换机和路由器的数据包缓冲区，利用其高速读写能力提升转发效率；在工业自动化领域，作为PLC控制器或运动控制卡的临时数据存储单元，用于存放实时采集的传感器数据或执行指令队列；在测试与测量设备如示波器、频谱分析仪中，该芯片承担采样数据的高速暂存任务，确保不丢失瞬态信号信息；在军事和航空航天电子系统中，凭借其宽温特性和高可靠性，被用于雷达信号处理、飞行控制计算机和弹载数据记录装置；此外，在医疗成像设备如超声系统中，也可用作图像帧缓冲存储器，支持连续图像流的快速读写操作。由于其异步接口简单且易于驱动，常被FPGA或ASIC直接连接作为协处理器缓存使用，尤其适合不需要DDR等复杂协议的老式或专用系统设计。

CY7C136-20JCT
　　CY7C136-35JCT
　　IS61LV25616-25T
　　AS7C25616-25TCN84