时间：2025/8/8 21:03:12
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2SK3983-01SJ 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率的功率转换和控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等电路。其封装形式为SOP（小外形封装），便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：最大值25mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：3.8W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
2SK3983-01SJ 具有多个优异的电气和热性能特点，使其在功率MOSFET市场中备受青睐。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。其次，其高耐压特性（Vds=30V）使其适用于多种中低压功率转换应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的长期可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，同时具备快速开关能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其SOP封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于提高整体系统的热管理能力。
2SK3983-01SJ 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关以及电源管理模块等。由于其优异的导通性能和热稳定性，该器件也广泛用于便携式电子产品、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率管理部分。
Si9410BDY-T1-E3, FDS6680, IRF7413, AO4406A
