时间：2025/8/6 1:06:11
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IXFH78N60X3 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于诸如电源转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等工业和电力电子设备。IXFH78N60X3 采用 TO-247 封装，具备优异的热性能和高电流承载能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：600V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id（@25°C）：78A
最大脉冲漏极电流 Idm：312A
导通电阻 Rds(on)：典型值 52mΩ，最大值 65mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFH78N60X3 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其 Rds(on) 典型值为 52mΩ，最大值为 65mΩ，在高电流应用中表现尤为出色。
另一个重要特性是该 MOSFET 的高电流承载能力。在 25°C 环境温度下，其最大连续漏极电流可达 78A，而脉冲漏极电流可高达 312A，适用于需要瞬时高功率输出的场景，如电机驱动或开关电源。
该器件的 TO-247 封装具备良好的热管理能力，能够有效散热，从而提高器件在高功率密度应用中的可靠性。此外，TO-247 是一种常见的工业标准封装，便于安装和散热器连接。
IXFH78N60X3 还具有较高的栅极驱动兼容性，支持常见的栅极驱动电路设计。其栅源电压额定值为 ±20V，允许使用标准的 12V 或 15V 驱动电源，同时具备一定的过压容忍能力。
该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器、逆变器以及谐振变换器等拓扑结构。其开关参数经过优化，有助于减少能量损耗并提高系统响应速度。
此外，IXFH78N60X3 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业环境下的严苛条件。
IXFH78N60X3 适用于多种高功率电子系统。其主要应用包括：
1. **开关电源（SMPS）**：用于高效率的 AC-DC 或 DC-DC 转换器中，提供稳定的输出功率，适用于服务器电源、通信设备电源和工业电源系统。
2. **电机驱动与控制**：在变频器、伺服驱动器和步进电机控制系统中作为功率开关器件，提供快速响应和高效能控制。
3. **不间断电源（UPS）**：在 UPS 系统中用于 DC-AC 逆变环节，实现市电中断时的无缝切换和持续供电。
4. **太阳能逆变器**：用于光伏逆变系统中，将直流电转换为交流电供家庭或电网使用，具有高效率和良好的热稳定性。
5. **焊接设备与工业加热设备**：在高电流、高功率的应用中提供可靠的开关性能。
6. **电动汽车充电设备**：适用于充电桩和车载充电器中的功率转换环节，支持高效率和高可靠性的充电系统。
IXFN88N60P, IXFH88N60Q, STW88N60M2, IRFP4868PbF
