型号：CNH41F224Z-TM
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID：5.8A（@Tc=70℃）
　　脉冲漏极电流IDM：23A
　　导通电阻RDS(on)：22mΩ（@VGS=4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ（@VGS=2.5V）
　　阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容Ciss：450pF（@VDS=10V）
　　输出电容Coss：150pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容Crss：40pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间td(on)：8ns
　　关断延迟时间td(off)：18ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

CNH41F224Z-TM采用先进的沟槽型MOSFET工艺技术，具备极低的导通电阻，这使得在大电流条件下仍能保持较低的功耗，显著提升系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为22mΩ，意味着在5A负载电流下，导通压降仅为110mV，功率损耗仅约0.55W，有效减少发热并延长电池寿命，特别适合用于便携式设备中的电源开关或负载切换电路。此外，该器件在低栅极驱动电压（如2.5V）下仍能保持良好的导通性能（RDS(on)≤28mΩ），兼容3.3V和1.8V逻辑电平控制，无需额外电平转换电路即可直接由微控制器GPIO驱动，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，开启延迟时间仅8ns，关断延迟时间为18ns，结合较低的输入和输出电容，使其在高频PWM调制应用中表现出色，例如在同步整流DC-DC转换器或LED恒流驱动电路中可实现高效且稳定的开关操作。同时，器件内部结构优化减少了寄生参数的影响，提升了抗噪声干扰能力和开关瞬态稳定性。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，保证了在高温工业环境或低温户外场景下的长期稳定运行。
　　封装方面，CNH41F224Z-TM采用SOT-23小型化表面贴装封装，体积小巧，节省PCB空间，适合高密度布局的现代电子产品。该封装具备良好的热传导性能，通过PCB焊盘可有效散热，进一步提升功率处理能力。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于消费电子、通信设备、智能家居等多种领域。可靠性方面，经过严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣工况下的长期耐用性。

CNH41F224Z-TM主要应用于各类低电压、中等电流的开关与功率控制场合。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的负载开关或充电路径控制。在这些系统中，该MOSFET可用于实现主电源与备用电源之间的切换、防止反向电流以及提供过流保护功能。此外，它也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率，尤其在高频率开关电源中优势明显。
　　在电机驱动应用中，CNH41F224Z-TM可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端开关，配合高端P沟道或N沟道MOSFET实现正反转控制。由于其低导通电阻和快速响应特性，有助于减少电机启动时的电压跌落和能量损耗。在LED照明驱动方案中，该器件可作为恒流源的开关元件，用于调节亮度或实现脉冲调光（PWM dimming）。
　　工业控制和自动化设备中，CNH41F224Z-TM广泛用于传感器模块、继电器驱动、电磁阀控制等信号切换电路，因其高可靠性和宽温工作范围，可在工业现场复杂电磁环境下稳定运行。此外，该器件还适用于USB电源开关、热插拔控制器、智能电表、无线充电接收端以及各类嵌入式系统的电源序列控制等场景。凭借其优异的性价比和国产供应链保障，已成为许多工程师在中低端功率开关设计中的优选器件。

AO3400
　　SI2302
　　FDG330N
　　FDS6680A