时间：2023/3/9 16:12:47
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET?
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16.4 毫欧 @ 9.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.1A, 11A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：850pF @ 15V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：管件
供应商设备封装：8-SO
| 厂商 |
|---|
| Infineon / IR |
