时间：2025/12/26 1:20:18
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CBM01YTAN700是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻和快速开关性能而设计，适用于多种电源管理应用，特别是在空间受限和对热性能要求较高的场合。其封装形式为紧凑的PowerPAK SO-8单通道封装，具有极低的热阻特性，有助于在高电流条件下实现良好的散热效果。该MOSFET通常用于负载开关、电机控制、电池供电设备以及DC-DC转换器等电路中。
CBM01YTAN700的主要优势在于其优化的栅极电荷与导通电阻乘积（RDS(on) × Qg），这使得它在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗并提高整体系统效率。此外，该器件符合RoHS标准，无卤素，并具备高可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作。由于其优异的电气特性和封装性能，CBM01YTAN700广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统及便携式设备中。
型号：CBM01YTAN700
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDSS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)@25°C：-9.4A
脉冲漏极电流(IDM)：-32A
导通电阻(RDS(on))@VGS=-4.5V：16mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=-2.5V：22mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=-1.8V：29mΩ
阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
输入电容(Ciss)：830pF @ VDS = 10V
反向恢复时间(trr)：14ns
二极管正向压降(VSD)：-0.9V @ IS = -1A
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
CBM01YTAN700采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上构建垂直沟道结构，显著提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。相比于传统的平面型MOSFET，TrenchFET结构可以有效减少器件内部的寄生电阻和电容，提升开关速度并降低动态损耗。该器件在VGS=-4.5V时的典型RDS(on)仅为16mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，使其非常适合用于需要高效能功率切换的应用场景。
该MOSFET具备出色的热稳定性与长期可靠性。其PowerPAK SO-8封装去除了传统引线框架中的焊线连接，采用铜夹片直接连接芯片顶部与外部引脚，大幅降低了封装本身的热阻和寄生电感，提高了散热效率和电磁兼容性。这种封装还增强了机械强度，避免因温度循环导致的焊点疲劳问题。此外，该封装体积小巧（约5mm x 6mm），便于在高密度PCB布局中使用，尤其适合便携式电子设备。
CBM01YTAN700支持低电压逻辑驱动，可在VGS=-1.8V至-4.5V范围内正常工作，因此可直接由3.3V或2.5V微控制器IO口驱动，无需额外电平转换电路。这一特性简化了系统设计，降低了成本。同时，其较低的栅极电荷（Qg约为10nC）进一步减少了驱动功耗，有利于延长电池供电设备的工作时间。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=14ns），有助于抑制开关过程中的电压尖峰，提升系统安全性。
CBM01YTAN700广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理系统中。常见用途包括作为高端负载开关，在主板、电源模块或外设接口中实现电源通断控制，利用其低导通电阻来减小功率损耗和温升。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件可用于电池隔离或电源路径管理，确保在待机或关机状态下切断不必要的能耗。
在DC-DC转换器拓扑中，CBM01YTAN700常被用作同步整流器或电平移位开关，尤其是在Buck转换器的上桥臂配置中，配合N沟道MOSFET完成高效的电压调节。其快速开关能力和低Qg特性使其在高频操作下仍能保持较高效率。此外，该器件也适用于电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机的方向与启停，凭借其高耐流能力和良好热性能，可在短时间内承受较大的冲击电流。
工业控制领域中，CBM01YTAN700可用于PLC模块、传感器供电开关或继电器替代方案，提供固态开关的高可靠性和长寿命。由于其符合环保标准且具备宽泛的工作温度范围，也可部署于汽车电子辅助系统、智能家居控制板及工业物联网终端设备中，满足严苛环境下的运行需求。
Si7155DP-T1-GE3,SZBTA41H,VSM01YTAN700
