时间：2025/6/19 19:31:15
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5AGXBA7D4F31C4N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），支持大电流输出，同时具备优异的热性能，适用于对功率密度和散热要求较高的场景。
型号：5AGXBA7D4F31C4N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：3200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
5AGXBA7D4F31C4N 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用，降低开关损耗。
3. 大电流处理能力，满足高功率应用场景的需求。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的性能。
5. 内置静电保护功能，提高器件的可靠性和抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，适用于绿色电子产品。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于控制步进电机、无刷直流电机等。
3. 工业自动化设备中的负载切换模块。
4. 通信电源和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
IRF540N
STP30NF06L
FDP5800
