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CY62256VNLL-70ZRXI 发布时间 时间:2025/11/4 0:42:40 查看 阅读:7

CY62256VNLL-70ZRXI是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能、低功耗的32K x 8位CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用先进的CMOS技术制造,具有卓越的可靠性与稳定性,适用于对数据保持和访问速度有较高要求的应用场景。CY62256VNLL-70ZRXI的工作电压范围为2.7V至3.6V,属于低压SRAM产品,适合电池供电或便携式电子设备使用,能够在宽温度范围内稳定运行,工业级工作温度范围通常为-40°C至+85°C,确保在恶劣环境下的可靠性能。
  该芯片采用高速访问时间设计,最大访问时间为70纳秒(ns),能够满足中高速微处理器系统的存储需求,尤其适用于需要快速读写操作而不允许延迟的关键系统。其内部结构为32,768字节(即32KB)的组织方式,按8位数据总线进行数据传输,地址空间为15位(A0-A14),支持全静态操作,无需刷新周期,简化了系统设计并降低了功耗。CY62256VNLL-70ZRXI提供标准的SRAM接口信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与多种微控制器、微处理器和逻辑电路无缝连接。
  封装方面,CY62256VNLL-70ZRXI采用44引脚SOJ(Small Outline J-leaded Package)封装,符合行业通用标准,便于自动化贴片生产和维修更换。该器件无铅(Pb-free)且符合RoHS环保规范,适用于现代绿色电子产品设计。此外,它具备优异的抗干扰能力和高噪声容限,可在电磁环境复杂的工业控制系统中稳定工作。由于其非易失性特性依赖外部电源维持数据,在断电后内容将丢失,因此常与其他非易失性存储器配合使用以实现配置信息或临时数据的缓存功能。

参数

制造商:Infineon Technologies
  系列:CY62256V
  存储类型:SRAM
  存储容量:262,144位(32K x 8)
  存储格式:易失性
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  访问时间:70ns
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装/外壳:44-SOJ
  引脚数:44
  接口类型:并行
  最大工作电流:35mA
  待机电流:10μA
  数据保持电压:最小2.0V
  地址输入保持时间:最小5ns
  写脉冲宽度:最小35ns
  输出使能到有效延迟:最大35ns

特性

CY62256VNLL-70ZRXI具备多项关键特性,使其成为工业控制、通信设备及嵌入式系统中理想的高速缓存存储解决方案。首先,其70ns的快速访问时间确保了与中高速微处理器的兼容性,能够在单周期内完成读写操作,显著提升系统响应速度和整体性能。这种高速性能特别适用于实时数据采集、网络缓冲、图像处理等对时序敏感的应用场合。
  其次,该器件采用先进的低功耗CMOS工艺,在主动工作模式下典型电流仅为35mA,而在待机模式下可低至10μA,极大地延长了电池供电设备的续航时间。即使在深度睡眠状态下,只要维持最低2.0V的数据保持电压,即可保留存储内容,从而实现节能与数据安全的平衡。这一特性广泛应用于便携式医疗仪器、远程监控终端和无线传感器节点中。
  再者,CY62256VNLL-70ZRXI具有全静态设计,无需时钟或刷新信号即可保持数据稳定,简化了外围电路设计,降低了系统复杂度和成本。其所有输入端均内置施密特触发器,增强了对噪声和信号抖动的抑制能力,提高了在高干扰环境下的运行可靠性。同时,输出驱动能力强,兼容TTL电平,可直接驱动多个负载。
  另外,该芯片支持三态输出控制,允许多个存储器或外设共享同一数据总线,通过片选(CE)和输出使能(OE)信号实现总线隔离,避免冲突。写保护机制通过WE和CE协同控制,防止误写入导致的数据损坏。整个器件经过严格的老化测试和质量管控,符合工业级可靠性标准,MTBF(平均无故障时间)极高,适用于长期连续运行的工业自动化设备。
  最后,44-SOJ封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能和机械强度,适合回流焊和波峰焊工艺,适应现代化SMT生产线要求。整体而言,CY62256VNLL-70ZRXI是一款集高速、低功耗、高可靠性和易用性于一体的高性能SRAM器件。

应用

CY62256VNLL-70ZRXI广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的电子系统中。在工业控制领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业HMI(人机界面)、运动控制卡和数据采集模块中作为程序缓冲区或实时变量存储空间,确保控制系统快速响应和稳定运行。在通信设备中,被用于路由器、交换机、基站模块中的帧缓存、协议处理中间数据存储,支持突发数据流量的高效处理。
  在消费类电子产品方面,该芯片适用于高端打印机、扫描仪、POS终端以及多媒体播放器中,用于图像缓存、文件预处理和用户界面渲染等任务。在医疗电子设备中,如便携式监护仪、血糖仪和超声成像设备,其低功耗和数据保持特性有助于延长电池寿命并保障患者数据不丢失。
  此外,在汽车电子系统中,尽管主要面向工业级而非车规级,但在某些车载诊断设备(OBD)、车载信息终端或后装市场设备中也有应用。航空航天与国防领域也利用其高可靠性特点,在地面测控设备、雷达信号处理单元中作为临时数据缓冲使用。
  嵌入式系统开发者常将其用于基于ARM、PIC、AVR或8051架构的开发板中,扩展主控芯片的RAM资源,特别是在操作系统运行、网络协议栈或多任务调度等需要较大内存的应用场景下发挥重要作用。总之,凡是需要稳定、快速、低功耗易失性存储的场合,CY62256VNLL-70ZRXI都是一个值得信赖的选择。

替代型号

IS62WVS2568ALL-70NLI
  EM638325TS-70H

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CY62256VNLL-70ZRXI参数

  • 数据列表CY62256VN
  • 标准包装234
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
  • 供应商设备封装28-TSOP I
  • 包装托盘