MK50H25N-25 时间：2025/7/22 15:41:50 阅读：3

MK50H25N-25 是一款由MKE（Microsemi，现为 Microchip Technology）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款器件采用N沟道结构，设计用于高效能的电源转换系统，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机控制电路。其主要优势在于具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了在高电流条件下的功率损耗。MK50H25N-25 提供了优异的热性能和高可靠性，适用于工业和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏-源电压（VDS）：250V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

MK50H25N-25 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低在高电流条件下的导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该器件具备较高的耐压能力（250V VDS），适用于多种高电压工作环境，如电源适配器、工业电源和汽车电子系统。
　　此外，MK50H25N-25 采用TO-247封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，便于与不同的控制IC或驱动器配合使用。
　　由于其具备较高的热稳定性和短路耐受能力，MK50H25N-25 也适用于要求严苛的工业和汽车应用环境。

应用

MK50H25N-25 广泛应用于各种高功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。
　　在电源管理系统中，该MOSFET用于高效能的电压转换和调节，适用于服务器电源、工业控制设备和UPS系统。
　　在汽车电子领域，MK50H25N-25 可用于车载充电器、电驱系统和电池管理电路，满足高可靠性和高效率的需求。
　　此外，该器件也适用于太阳能逆变器、风力发电变流器等可再生能源系统中的功率开关应用。