时间：2025/11/4 6:49:36
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CY14V101LA-BA45XI 是 Cypress Semiconductor（现属于 Infineon Technologies）推出的一款 1-Mbit (128 K × 8) 的串行 nvSRAM（非易失性静态随机存取存储器）芯片。该器件结合了高性能的 SRAM 和非易失性的存储技术，采用先进的 SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）制造工艺，确保在断电情况下仍能可靠地保存数据。此款 nvSRAM 支持 SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，工作频率最高可达 45 MHz，提供快速的数据读写能力，适用于对数据完整性要求高且需要频繁写入的应用场景。CY14V101LA-BA45XI 内置自动存储（AutoStore）和软件存储（Software Store）功能，在系统断电时可将 SRAM 中的数据自动或手动保存到非易失性存储单元中，上电后则自动恢复至 SRAM，从而实现无缝的数据持久化操作。此外，该芯片具备卓越的耐久性和数据保持能力，典型数据保持时间超过 20 年，擦写次数可达 10^6 次以上，远高于传统 EEPROM 或 Flash 存储器。其封装形式为 8-pin SOIC（Small Outline Integrated Circuit），符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），广泛应用于工业控制、医疗设备、网络通信、汽车电子以及智能仪表等关键领域。
容量：1 Mbit (128 K × 8)
电压范围：2.7 V 至 3.6 V
接口类型：SPI (支持模式 0,0 和 1,1)
最大时钟频率：45 MHz
访问时间：45 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-pin SOIC
存储技术：SONOS nvSRAM
写入耐久性：> 1,000,000 次
数据保持时间：> 20 年
存储触发方式：AutoStore, Software Store, Hardware Store
CY14V101LA-BA45XI 的核心特性之一是其基于 SONOS 技术的非易失性存储架构，这种创新的半导体工艺摒弃了传统浮栅技术，显著提升了器件的可靠性与耐久性。由于没有浮栅电荷泄漏问题，SONOS 结构具有更高的抗辐射能力和更长的数据保持时间，同时降低了制造成本并提高了良率。该芯片在每次电源下降时可通过 AutoStore 功能自动将 SRAM 数据备份至非易失性存储区，无需外部电池或超级电容支持，极大简化了系统设计复杂度。此外，用户也可通过发送特定指令执行 Software Store 操作，实现按需存储控制，灵活性更高。另一个重要特性是 Power-Up/Power-Down Management，即上电时自动将非易失性存储区中的数据恢复到 SRAM，确保系统重启后能立即访问上次保存的状态信息，这对于需要连续运行和状态记忆的关键应用至关重要。
该器件支持标准 SPI 接口，兼容多种主控 MCU 和处理器，通信速率高达 45 MHz，支持高速连续读写操作，响应延迟极低，适合实时数据记录场景。内部集成了 VDD 监测电路，能够精确检测电源电压变化并在电压低于安全阈值时启动保护机制，防止误写入或数据损坏。为了增强系统的安全性，CY14V101LA-BA45XI 还提供了硬件写保护功能，通过 HOLD 引脚实现对存储区域的部分或全部锁定，有效避免意外修改。该芯片还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为几微安，适合用于节能型嵌入式系统。所有操作均符合 RoHS 环保标准，且经过严格测试，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
CY14V101LA-BA45XI 广泛应用于对数据安全性和系统可靠性要求极高的工业与嵌入式系统中。在工业自动化控制系统中，它常被用于保存实时传感器数据、设备配置参数及故障日志，即使遭遇突发断电也能完整保留现场信息，便于后续分析与恢复。在医疗电子设备如监护仪、输液泵和便携式诊断仪器中，该芯片可用于存储患者治疗记录、校准数据和操作历史，保障生命攸关数据的完整性。在网络通信设备如路由器、交换机和基站模块中，其高速写入能力和持久化特性使其成为配置缓存和运行日志的理想选择。汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统、ADAS 控制单元和车身控制模块，也利用该芯片实现关键状态的快速存储与恢复。此外，在智能电表、燃气表等智能计量装置中，它用于记录累计用量和事件日志，满足严格的防篡改和长期数据保存需求。由于其无需电池的设计优势，越来越多的客户用它替代传统的带电池 SRAM（BBSRAM），不仅减少了维护成本，还提升了环保性能和整体系统可靠性。
FM25V05-GTR
ABZI-128HA-3B3T-GTR
CY14V101L
