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IXTH240N15X4 发布时间 时间:2025/8/6 5:24:05 查看 阅读:28

IXTH240N15X4 是一款由 Littelfuse(原IXYS公司)制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。IXTH240N15X4 主要用于高功率密度应用,如DC-DC转换器、电机控制、电源管理、电池充电系统以及工业自动化设备中。该MOSFET采用TO-264封装形式,便于散热和安装,适用于高电流和高频率操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):240A
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ(典型值5.5mΩ)
  封装类型:TO-264
  功率耗散(Pd):400W

特性

IXTH240N15X4 具有多个显著的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在240A的连续漏极电流能力下,该器件适用于高电流负载场合,如电动车辆的电源系统、工业电机驱动器和大功率电源模块。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构,提升了载流子密度,从而实现更高的导电性能和更低的开关损耗。
  此外,IXTH240N15X4 支持高达175°C的工作温度,具备良好的热稳定性和耐久性,能够在高温环境下稳定运行,适用于需要长时间高负载工作的工业和汽车应用。其栅极驱动电压范围为±20V,支持常见的12V和15V驱动电路,便于与各种栅极驱动IC或控制器配合使用。
  该器件的TO-264封装设计具有良好的散热性能,能够有效将热量传导至散热片或PCB上,从而保持较低的工作温度,延长器件寿命。同时,TO-264封装也便于安装和维护,适用于模块化电源设计和高性能功率系统。
  IXTH240N15X4 还具备优异的雪崩能量承受能力,具有一定的过压和过流保护能力,能够在突发短路或负载突变的情况下保持稳定运行,提高系统的可靠性。

应用

IXTH240N15X4 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,该器件常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和功率因数校正(PFC)电路中,以实现高效率的能量转换。在电机控制方面,IXTH240N15X4 可作为H桥电路中的开关元件,用于控制直流电机或无刷电机的正反转和调速,适用于机器人、自动化生产线和电动车辆等应用场景。
  在电池管理系统(BMS)中,该MOSFET可作为充放电控制开关,确保电池组的安全高效运行。此外,IXTH240N15X4 也常用于高频逆变器、太阳能逆变器和储能系统中,支持高效率的能量转换与分配。
  由于其高可靠性和耐高温能力,IXTH240N15X4 在汽车电子系统中也得到广泛应用,例如电动汽车的车载充电器(OBC)、DC-DC变换器和动力总成控制系统。同时,该器件也可用于工业伺服驱动器、UPS(不间断电源)和高功率LED照明驱动器等设备中。

替代型号

IXTH240N15X4S, IXFN240N15X4, IXTH240N15X4STP, IXFN240N15X4S

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IXTH240N15X4参数

  • 现有数量1,804现货
  • 价格1 : ¥112.73000管件
  • 系列Ultra X4
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.4 毫欧 @ 120A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)195 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8900 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)940W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3