时间：2025/8/28 18:48:52
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FDPF12N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关应用。该器件设计用于高效率的电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机控制电路。该MOSFET具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性，能够承受较高的功率负载。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：12A（在25°C）
栅源电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.44Ω（在VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：36nC
输入电容（Ciss）：1050pF
封装类型：TO-220
FDPF12N50 MOSFET具备多个高性能特性。其500V的漏源击穿电压使其适用于高压应用，同时12A的连续漏极电流能力支持中高功率应用。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关电路，从而减小电源系统的体积和重量。FDPF12N50采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。该器件还内置了快速恢复体二极管，适用于需要反向电流保护的应用。此外，其±20V的栅源电压耐受能力提供了良好的栅极驱动兼容性，便于与多种驱动电路配合使用。
FDPF12N50广泛应用于各类电源管理和功率控制电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电池充电器和电机驱动器。此外，该MOSFET也适用于照明镇流器、工业自动化系统以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压和良好的热稳定性，该器件也适合用于高可靠性要求的工业和汽车电子系统。
FDPF12N50可以使用以下型号作为替代：IRFBC20（英飞凌）、STP12N50（意法半导体）、FQP12N50（飞兆半导体）、APT12N50（Microsemi）等。
