品牌：Infineon Technologies
　　产品类型：铁电存储器（F-RAM）
　　存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI 四线制
　　最大时钟频率：45 MHz
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：45-ball BGA (6 mm × 8 mm)
　　写入耐久性：> 10^14 次/单元
　　数据保持时间：10年以上（典型值）
　　是否包含实时时钟（RTC）：是
　　RTC备份电源引脚：VBAT
　　SRAM用于RTC：32字节
　　写入周期时间：无延迟写入（即时完成）

CY14B101LA-BA45XI的核心技术基于铁电存储原理，使用锆钛酸铅（PZT）材料作为存储介质，其极化状态可在无需外部供电的情况下长期保持，从而实现非易失性数据存储。与传统EEPROM或Flash不同，F-RAM的写入操作无需擦除周期，也不受写入次数限制，典型耐久性高达10^14次，远超EEPROM的10^6次水平，极大延长了系统的使用寿命并减少了因存储器磨损导致的故障风险。该芯片支持SPI模式0和模式3，兼容主流微控制器的SPI接口，通信协议包括标准的读写指令、写使能、状态寄存器访问等，用户可通过状态寄存器监控写入状态或配置保护区域。片上集成的实时时钟（RTC）模块支持秒、分、小时、日、月、年及星期的计时功能，内置32字节专用SRAM用于存储时间信息，并可通过VBAT引脚连接备用电池，在主电源断开时维持RTC运行和数据不丢失。该RTC具有高精度时基输入，可外接32.768 kHz晶振以确保时间准确性。芯片还支持软件和硬件写保护机制，防止意外写入或篡改关键数据，提升了系统的安全性。此外，CY14B101LA-BA45XI具备低功耗特性，在主动读写状态下电流消耗仅为几毫安，待机模式下可降至微安级别，适合对能耗敏感的应用。其BGA封装虽然对PCB布局和焊接工艺要求较高，但提供了良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度、高性能的嵌入式系统设计。
　　该器件在数据采集系统中表现出显著优势，例如在工业PLC或智能电表中，能够实时记录传感器数据、操作日志或事件时间戳，而无需担心传统存储器的写入延迟或寿命问题。由于其无延迟写入特性，即使在突发断电情况下也能确保最新数据完整保存，避免数据丢失。同时，F-RAM对辐射和电磁干扰的敏感度较低，适合在恶劣环境中稳定运行。英飞凌为该系列器件提供了完整的开发支持，包括数据手册、应用笔记、评估板和参考代码，便于工程师快速完成系统集成与调试。整体而言，CY14B101LA-BA45XI是一款集高性能、高可靠性与多功能于一体的先进非易失性存储解决方案。

CY14B101LA-BA45XI广泛应用于需要高频写入、数据可靠性高以及具备时间记录功能的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、DCS（分布式控制系统）中的运行日志和参数存储；智能电表、水表、气表等公用事业计量设备中用于记录用量数据和事件时间戳，确保断电后数据不丢失且写入寿命不受影响；医疗设备如监护仪、血糖仪、便携式诊断设备中用于存储患者数据和校准信息，满足长期稳定性和安全性的要求；汽车电子领域如车载黑匣子（EDR）、高级驾驶辅助系统（ADAS）模块中记录车辆状态和事件序列；通信基站和网络设备中用于保存配置信息和操作日志；POS终端和工业HMI（人机界面）设备中实现交易记录的快速持久化存储。此外，在航空航天和军事电子系统中，由于其高抗辐照能力和宽温工作特性，也常被用于关键数据的非易失性缓存。该芯片特别适用于替代传统EEPROM和SRAM组合方案，简化电路设计，减少元件数量，提高系统集成度和可靠性。其内置RTC功能进一步扩展了在需要时间同步和事件追踪应用中的适用性，例如环境监测系统、远程数据采集终端和智能楼宇控制系统等。通过SPI接口与主控MCU连接，开发者可以轻松实现高速数据存储与时间标记功能，提升整体系统性能。

CY14B101LA-BA45XIT
　　CY14B101NA-BA45XI
　　CY14B101LA-S