时间：2025/9/2 11:37:36
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H26M52208FPR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，主要用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该芯片设计为低功耗、高性能的内存解决方案，适用于需要高效数据处理的应用场景。
容量：256Mb
组织结构：2M x16
电压：1.7V - 3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
时钟频率：最大166MHz
数据速率：333Mbps
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
H26M52208FPR具有低功耗设计，使其非常适合用于电池供电设备。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不使用时降低功耗。此外，它具备高性能的同步接口，支持高速数据传输，适用于需要快速响应的应用场景。
该DRAM芯片还具备良好的稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内正常工作，适用于工业级应用。其TSOP封装形式有助于减少芯片尺寸，提高设备的集成度。同时，H26M52208FPR还支持多种省电模式，以延长设备的电池寿命。
H26M52208FPR广泛应用于移动通信设备，如智能手机和平板电脑，作为主内存或图形内存使用。此外，它也可用于嵌入式系统、便携式多媒体播放器、工业控制设备和汽车电子系统中，以提供高性能的内存支持。
H26M52208FSR, H26M52208FFR, MT48LC16M2A2B4-6A
