HSMS-282B-TR1 时间：2025/9/16 6:40:27 阅读：12

HSMS-282B-TR1是由安华高科技（Avago Technologies）生产的一款表面贴装肖特基二极管。该器件采用SOT-23封装，适用于各种射频（RF）和模拟电路中的信号检测、混频、检波等应用。HSMS-282B-TR1具有低正向压降和快速恢复时间的特点，使其在高频电路中表现出色。该器件广泛用于通信设备、测试仪器、工业控制系统等高性能电子系统中。

参数

类型：肖特基二极管
　　封装类型：SOT-23
　　正向电压（Vf）：最大0.35 V（在1 mA条件下）
　　反向击穿电压（Vbr）：最小5 V
　　最大正向电流（If）：10 mA
　　最大反向电流（Ir）：100 nA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚数：3
　　安装类型：表面贴装
　　二极管配置：单个

特性

HSMS-282B-TR1是一款高性能的肖特基势垒二极管，专为射频和低电压检测应用设计。其主要特性之一是低正向压降，在1 mA正向电流下最大为0.35 V，这有助于减少电路中的功率损耗并提高效率。该器件的快速恢复时间使其非常适合用于高频应用，能够有效地处理高达GHz级别的信号。此外，HSMS-282B-TR1的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，确保其在极端环境下的可靠性。
　　该二极管的封装形式为SOT-23，属于标准的表面贴装封装，适合自动化装配流程，降低了生产成本并提高了装配效率。由于其紧凑的封装尺寸，HSMS-282B-TR1也适用于空间受限的高密度PCB设计。其最大反向电流仅为100 nA，确保在关断状态下的低漏电流性能，适用于对功耗敏感的设计。
　　HSMS-282B-TR1还具备优异的热稳定性和机械强度，能够承受焊接过程中的高温冲击。其额定反向击穿电压为5 V，适用于中等电压等级的检测和整流任务。器件内部采用成熟的硅半导体工艺制造，确保了长期的性能稳定性和一致性。

应用

HSMS-282B-TR1广泛应用于射频和模拟电子系统中，主要用于信号检测、混频、检波以及低电压整流等任务。在通信设备中，该二极管常用于射频功率检测电路，用于测量发射或接收信号的强度，确保系统在最佳工作状态下运行。在测试与测量仪器中，HSMS-282B-TR1可用于构建射频探头和功率计，提供高精度的信号测量能力。
　　此外，该器件也适用于工业控制系统中的传感器接口电路，用于将高频信号转换为可用的直流电压。由于其低正向压降和快速恢复时间，HSMS-282B-TR1也可用于电源管理电路中的低功耗整流应用。在消费类电子产品中，如无线耳机、智能手表等，该二极管可被用于射频前端模块中的信号处理部分，提升整体系统性能。