Q5112C-1N 时间：2025/8/12 23:18:19 阅读：9

Q5112C-1N 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换和控制的电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和各种开关电源应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 28mΩ（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

Q5112C-1N MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得在高电流工作状态下依然保持较低的压降和良好的热性能。
　　此外，Q5112C-1N 具有高耐压能力，漏源电压可达 100V，适用于中高功率应用。其高栅极电压容限（±20V）增强了在不同驱动条件下的可靠性，减少了栅极击穿的风险。
　　该器件的封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。同时，Q5112C-1N 在高温环境下依然能保持稳定的工作性能，其最大工作温度可达 175°C，适合在恶劣环境下使用。
　　由于其优异的电气性能和热管理能力，Q5112C-1N 可用于高频开关应用，减少开关损耗并提高整体系统效率。该 MOSFET 还具备快速恢复二极管的特性，使其在反向恢复过程中表现优异，减少电磁干扰（EMI）。

应用

Q5112C-1N 主要应用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高耐压能力，该器件非常适合用于高效能电源转换系统，例如服务器电源、通信设备电源以及新能源汽车中的电力电子系统。
　　在电机控制应用中，Q5112C-1N 可用于 H 桥电路中，实现对直流电机或步进电机的高效控制。其高电流能力和快速开关特性使其在变频器和伺服驱动器中也有广泛应用。
　　此外，该 MOSFET 也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率开关，能够有效提升能量转换效率，并在高温环境下保持稳定运行。