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CXK58257ATM-10LLX 发布时间 时间:2025/8/18 6:06:35 查看 阅读:8

CXK58257ATM-10LLX 是一款由 Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)推出的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 256Kbit,组织形式为32K x 8位。该器件采用高速CMOS技术制造,适用于需要快速存取和低功耗的工业及通信应用。该封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适合在空间受限的电路板设计中使用。

参数

容量:256Kbit
  组织结构:32K x 8
  访问时间:10ns
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:52
  最大工作频率:100MHz(根据访问时间计算)
  数据保持电压:1.5V(最低)
  待机电流:最大10mA(典型值)

特性

CXK58257ATM-10LLX 采用高速异步SRAM架构,具备快速存取能力,访问时间低至10ns,适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源管理环境,并具备良好的电源稳定性。工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),可在严苛环境下稳定运行。该SRAM具备低待机电流(最大10mA),在非活跃状态下可有效降低功耗,延长设备电池寿命或减少散热需求。此外,该器件采用TSOP封装,体积小且适合自动化贴片工艺,广泛应用于嵌入式系统、通信设备、工业控制和消费类电子产品中。
  在可靠性方面,CXK58257ATM-10LLX 符合RoHS标准,不含铅材料,适用于环保型电子产品制造。其高噪声抗扰能力和可靠的输入输出缓冲设计,确保了在高频操作下的数据完整性。芯片内部采用全CMOS设计,具有高抗干扰能力,适用于复杂电磁环境中的高性能系统。此外,该SRAM支持异步控制信号,包括片选(CE)、写使能(WE)和输出使能(OE),便于与多种微控制器和嵌入式系统接口连接。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存储器支持的嵌入式系统、通信模块、工业自动化设备、测试仪器、图像处理系统以及便携式电子设备。由于其低功耗与宽电压设计,特别适用于需要稳定运行且功耗敏感的场景,例如远程通信终端、智能传感器、医疗电子设备和高性能工业控制器。此外,其高速存取特性也使其成为高速缓存、数据缓冲器或程序存储器的理想选择。

替代型号

CY62148EVLL-10ZSXC、IS62LV256ALBLL-10BLI、AS7C3256ALBLL-10TC、CY62148EVLXI-10ZSXI

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