BF755是一种双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于射频和高频放大应用。它属于低噪声、高增益的NPN型晶体管,适用于各种无线通信设备、收音机和其他高频电子电路中的小信号放大器。
BF755在高频领域的表现尤为出色,其出色的增益特性和低噪声性能使其成为许多射频应用的理想选择。
集电极-发射极电压(VCEO):25V
集电极电流(IC):0.1A
直流电流增益(hFE):280~620
过渡频率(fT):700MHz
最大耗散功率(Ptot):310mW
封装形式:TO-92
BF755具有以下特点:
1. 高频响应:由于其过渡频率高达700MHz,BF755非常适合用于高频信号处理和放大。
2. 低噪声:作为低噪声晶体管,BF755能够显著减少信号失真,确保高质量的音频和射频传输。
3. 高增益:其直流电流增益范围为280至620,提供稳定的放大性能。
4. 小尺寸封装:采用TO-92封装,便于安装在紧凑型电路板上。
5. 稳定性好:在各种温度和负载条件下,BF755都能保持较高的稳定性,适合多种环境下的使用。
BF755广泛应用于以下领域:
1. 射频放大器:用于提高无线通信设备的信号强度。
2. 收音机前置放大器:增强接收信号的质量和清晰度。
3. 高频振荡器:构建高频信号生成电路。
4. 调制解调器:在数据传输设备中进行信号处理。
5. 测试与测量设备:用于精确的高频信号测试。
BF756, BF760