时间：2025/8/19 16:55:07
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MA100GQ-Z是一款由日本Panasonic公司制造的功率MOSFET模块，广泛应用于高功率密度的电源系统中。该模块采用先进的封装技术，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合在工业电源、电机驱动、UPS（不间断电源）等高要求场合中使用。其设计目标是提供高效、可靠且紧凑的功率转换解决方案。
类型：功率MOSFET模块
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：典型值为12mΩ
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电压范围：±20V
功率耗散：300W
短路耐受能力：有
MA100GQ-Z采用了先进的沟槽栅极技术和低电阻的封装设计，从而实现了极低的导通电阻和快速的开关性能。这种模块的热性能优异，能够有效降低工作温度，提高系统的可靠性和寿命。此外，该模块具有良好的短路保护能力，能够在极端工况下保持稳定运行。
该模块的封装设计符合RoHS标准，具有良好的环境适应性。模块内部的MOSFET器件采用了并联结构，从而在高电流条件下仍能保持均匀的电流分布，减少热斑效应。同时，该模块具有较低的寄生电感，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。
在可靠性方面，MA100GQ-Z经过严格的测试和验证，确保在高负载和高温环境下仍能保持稳定的性能。其高耐压能力和优异的热管理设计，使其在各种工业应用中表现出色。
MA100GQ-Z广泛应用于各种高功率密度的电子系统中，包括工业电源、直流电机驱动器、不间断电源（UPS）、电焊机、光伏逆变器以及电动汽车充电设备等。其优异的电气性能和可靠性使其成为高要求功率转换应用的理想选择。
IXFN100N10T, APM100GN10Y
