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MMSD71RKT1 发布时间 时间:2025/12/23 23:41:23 查看 阅读:14

MMSD71RKT1 是一款高性能的双通道 MOSFET 驱动器芯片,专为高效驱动功率 MOSFET 和 IGBT 而设计。该器件能够提供大电流驱动能力,同时具备快速开关特性,适用于高频开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。
  这款芯片采用了先进的 CMOS 工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。其内置的保护功能包括欠压锁定(UVLO)和短路保护,确保在各种工作条件下的稳定性和安全性。

参数

供电电压:4.5V 至 20V
  峰值输出电流:±4A
  传播延迟:12ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-8

特性

MMSD71RKT1 具有以下显著特性:
  1. 高速驱动能力:该芯片能够提供高达 ±4A 的峰值输出电流,确保功率 MOSFET 和 IGBT 的快速开关。
  2. 宽供电电压范围:支持 4.5V 至 20V 的宽输入电压范围,适应多种应用场景。
  3. 内置保护功能:集成欠压锁定和短路保护功能,提高了系统的可靠性和安全性。
  4. 低静态电流:典型静态电流仅为 1mA,有助于降低整体功耗。
  5. 高温稳定性:能够在 -40°C 至 +125°C 的宽温度范围内稳定工作,适合工业和汽车级应用。

应用

MMSD71RKT1 广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源:用于驱动主功率 MOSFET 或 IGBT,提升转换效率。
  2. 电机驱动:控制电机的启停和调速,实现高效节能。
  3. 逆变器:作为核心驱动元件,确保逆变电路的正常运行。
  4. 工业自动化设备:如 PLC 和伺服驱动器中的功率驱动部分。
  5. 汽车电子:适用于汽车电子系统中的各类功率开关驱动场景。

替代型号

MCP14E2, IXDN404

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MMSD71RKT1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)80V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 80V
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0.5V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)