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AON6226 发布时间 时间:2025/8/2 7:14:50 查看 阅读:28

AON6226 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(AOS)制造的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的屏蔽栅(Shielded Gate)技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特点。这款 MOSFET 设计用于高频率开关应用,适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A(在Tc=25℃)
  功耗(Pd):200W
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(最大值,在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

AON6226 的核心优势在于其出色的导通性能和快速的开关特性。由于采用了屏蔽栅技术,该器件在保持低导通电阻的同时,也显著降低了开关损耗,从而提升了整体能效。
  AON6226 的封装形式为 Power 8 封装,这种设计不仅提供了优异的热性能,还使得器件能够在高电流条件下稳定工作。其低导通电阻(Rds(on))确保了在大电流应用中最小的功率损耗,同时其高耐压能力(60V)使其适用于多种中高功率的电源管理应用。
  此外,该器件的栅极驱动要求较低,能够在 4.5V 至 20V 的栅源电压范围内正常工作,这种特性使其与多种驱动电路兼容,包括常见的低压控制器和驱动 IC。AON6226 还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的工作性能,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
  为了提高器件的耐用性和抗干扰能力,AON6226 在设计上还优化了其雪崩能量耐受能力,使其在突发的电压冲击下仍能保持正常运行,降低了因瞬态电压导致的器件失效风险。

应用

AON6226 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电源系统中,例如服务器电源、通信设备电源、电池管理系统、电机驱动器和 DC-DC 转换器等。在服务器和通信设备中,AON6226 可作为同步整流器使用,以提高电源转换效率并降低热损耗。在电池管理系统中,该器件可用于电池充放电控制和保护电路,确保系统的安全运行。
  在电动汽车和工业自动化设备中,AON6226 可用于电机控制和负载开关,提供高效的功率控制和可靠的过载保护功能。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,该 MOSFET 可用于实现高效的功率转换和管理,提升系统的整体能效。
  由于其高耐压和大电流能力,AON6226 也适用于各种高功率 LED 照明系统和电源适配器设计,满足现代电子设备对小型化和高效能的双重需求。

替代型号

SiR178DP, NexFET CSD17551Q5A, Infineon BSC090N03LS G

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AON6226参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥4.72129卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3130 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)108W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线