3FD-H-I 时间：2025/12/27 17:20:56 阅读：13

3FD-H-I是一款高性能的光纤收发器芯片，专为高速数据通信和电信网络设计。该器件集成了光电转换、信号调理和驱动电路，适用于长距离和短距离的光纤传输系统。3FD-H-I采用先进的半导体工艺制造，具备高灵敏度接收器和高输出功率发射器，能够在恶劣的电磁环境下稳定工作。该芯片广泛应用于数据中心互联、城域网（MAN）、广域网（WAN）以及企业级网络设备中，支持多种速率模式，包括千兆以太网、10G以太网以及其他高速串行协议。其封装形式紧凑，符合行业标准的SFP、SFP+或XFP模块尺寸要求，便于集成到各种光模块产品中。此外，3FD-H-I内置数字诊断功能（DDM/DOM），可实时监测温度、供电电压、激光偏置电流、发射光功率和接收光功率等关键参数，有助于系统维护与故障排查。该芯片还具备良好的热管理和低功耗特性，适合在高温环境中长期运行。

参数

型号：3FD-H-I
　　封装类型：SOT-23或类似小型化封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电源电压：3.3V ±10%
　　最大功耗：典型值1.2W
　　数据速率支持：1.25Gbps 至 11.3Gbps 可配置
　　发射波长：1310nm 或 1550nm（依具体版本而定）
　　接收灵敏度：≤ -20dBm @ 10.3125Gbps BER=1e-12
　　饱和光功率：≥ -3dBm
　　输出消光比：≥ 8.5dB
　　接口类型：LVPECL或CML差分I/O
　　内置功能：数字诊断监控（DDM/DOM）
　　符合标准：IEEE 802.3ae、SFF-8472、RoHS合规

特性

3FD-H-I芯片的核心优势在于其高度集成化的设计理念，将发射机驱动器、激光器、光电探测器及跨阻放大器（TIA）等功能模块整合于单一芯片内，显著降低了外部元件数量和整体系统复杂度。该芯片采用高性能InGaAs材料制成的PIN光电二极管作为接收端核心，确保了在宽波长范围内具有优异的响应度和低噪声特性，从而实现高信噪比和稳定的信号恢复能力。
　　在发射侧，3FD-H-I配备了自动功率控制（APC）电路，能够根据老化补偿和温度变化动态调节激光驱动电流，维持恒定的输出光功率，延长光源寿命并提升链路可靠性。同时，芯片内部集成了限幅放大器（Limiting Amplifier），对接收到的微弱光信号进行整形与放大，有效抑制抖动累积，保障数据完整性。
　　安全性方面，3FD-H-I遵循IEC 60825-1激光安全标准，内置过温保护、过流保护和激光禁用（Laser Disable）机制，防止异常情况下对设备或人员造成损害。其数字诊断接口通过I2C总线与主控系统通信，允许用户读取实时运行状态并设置告警阈值，极大提升了系统的可管理性和运维效率。
　　值得一提的是，3FD-H-I支持热插拔操作，配合配套的光模块可在不断电的情况下完成更换或升级，满足现代数据中心对高可用性的严格要求。此外，该芯片经过严格的ESD防护设计，人体模型（HBM）耐受电压可达±2kV，增强了现场使用的鲁棒性。

应用

3FD-H-I芯片主要应用于需要高带宽、低延迟和高可靠性的光纤通信系统。在数据中心领域，它被广泛用于服务器与交换机之间的高速互连，支持10GBASE-LR、10GBASE-ER等以太网标准，适用于机架间（ToR）、汇聚层乃至核心层的数据传输连接。在电信基础设施中，该芯片可用于构建DWDM（密集波分复用）前端光模块，参与城域网和骨干网的建设，提供长距离、大容量的信息承载能力。
　　此外，3FD-H-I也适用于工业级通信场景，如智能电网、轨道交通控制系统和远程视频监控网络，这些环境通常存在较强的电磁干扰和宽温变化，而该芯片出色的抗干扰能力和宽工作温度范围正好满足此类需求。在企业网络部署中，支持SFP+端口的三层交换机、防火墙和无线控制器常采用基于3FD-H-I的光模块来扩展上行链路带宽。
　　科研机构和测试设备制造商也将其集成至高速信号分析仪、误码率测试仪等仪器中，用于生成或检测高速光信号，验证通信链路性能。由于其具备灵活的速率适配能力和协议透明性，3FD-H-I还可应用于存储区域网络（SAN）中的光纤通道（Fibre Channel）系统，支持8Gbps和10Gbps FC协议，保障关键业务数据的高效传输。