时间：2025/8/2 5:23:12
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DMP4047SSDQ-13是一款由Diodes公司生产的双沟道P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用6引脚TSOT封装。该器件具有低导通电阻（RDS(ON)）和高功率效率，适用于负载开关、电源管理以及电池供电设备中的高频开关应用。其设计支持较高的电流处理能力，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在空间受限的便携式电子产品中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻（RDS(ON)）：34mΩ（最大值，在VGS = -10V时）
导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ（最大值，在VGS = -4.5V时）
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOT-6
DMP4047SSDQ-13具有极低的导通电阻特性，使其在高频开关操作中具备更低的功率损耗，从而提高系统效率。该器件支持较高的电流承载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，具备良好的热管理和可靠性。其栅极设计支持宽范围的栅源电压，适用于多种电源管理场景。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够减少开关延迟和能量损耗，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。封装形式采用TSOT-6，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时也具备良好的散热性能。
此外，该MOSFET具备较高的雪崩耐受能力，能够承受瞬时过电压冲击，提高系统的稳定性和耐用性。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力，减少了在装配和使用过程中可能发生的损坏风险。器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
DMP4047SSDQ-13广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池供电系统。其高效率和低功耗特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。此外，该器件也可用于电机控制、电源适配器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的开关电源模块。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统的电源管理单元。
Si4435BDY, IRML6401, AO4406A, NTR1P02LT1G
