型号：2N60G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：0.5A（典型值）
　　脉冲漏极电流（IDM）：2A
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5Ω（最大值，特定VGS条件下）
　　阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
　　功耗（PD）：50W（带散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-92或类似小型封装

2N60G作为一款高压N沟道MOSFET，其核心优势在于高耐压能力和适中的电流承载能力，特别适合用于离线式开关电源等对电压应力要求较高的场合。该器件的漏源击穿电压高达600V，意味着它可以安全地应用于整流后的市电环境中，例如在反激式变换器中作为主开关管使用。这一特性使其成为小功率AC-DC电源模块中的常见选择。
　　另一个关键特性是其较低的栅极电荷和输入电容，这有助于实现快速的开关响应，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗并提高整体系统效率。由于其增强型工作模式，2N60G在栅极为零电压时处于关断状态，只有当施加足够正向栅源电压（通常高于阈值电压2V～4V）时才会导通，这种特性提高了系统的安全性与可控性。
　　尽管2N60G的导通电阻相对较高（约为7.5Ω），限制了其在大电流应用中的效率表现，但由于其封装小巧、成本低廉且无需复杂驱动电路，仍然非常适合低至中等功率级别的应用。此外，该器件具备良好的热稳定性，可在-55℃到+150℃的结温范围内可靠运行，适应多种恶劣环境条件。
　　值得注意的是，虽然部分厂家可能将2N60G封装于TO-92形式中，但此类封装的散热能力有限，因此在实际应用中必须注意功率耗散控制，必要时应加装散热片或优化PCB布局以增强热传导。同时，为防止栅极过压损坏，建议在栅极串联一个小电阻，并可配合稳压二极管进行保护。

2N60G常被用于小功率开关电源（SMPS）中作为主开关元件，尤其是在反激式拓扑结构中，负责将直流高压进行周期性通断以实现能量传递。它也适用于LED驱动电源、充电器、适配器等消费类电子产品中，提供高效且稳定的直流输出。此外，该器件可用于直流电机控制电路中作为电子开关，实现启停或调速功能，尤其适用于负载电流不大的小型电机驱动场景。
　　在工业控制领域，2N60G可用于继电器驱动、电磁阀控制等需要隔离与功率切换的应用，利用其高输入阻抗特性便于与数字控制系统接口连接。由于其具备较高的电压耐受能力，也可用于高压信号采样电路中的开关组件或保护电路中作为瞬态抑制辅助器件。
　　此外，2N60G还可应用于逆变器电路中，特别是在低功率正弦波或方波逆变器中作为桥臂开关之一，配合其他MOSFET完成直流转交流的功能。在电池供电设备中，该器件可用于电源路径管理，实现电池充放电控制或备用电源切换。
　　值得一提的是，由于其封装尺寸较小，2N60G更适合空间受限但功率需求不高的便携式设备。然而，在高频率或高效率要求的应用中，设计者需充分考虑其导通电阻带来的热损耗问题，并合理设计驱动电路以避免因寄生振荡导致器件失效。

KSP2N60G, FQP2N60G, STP2N60FT, 2SK2542