时间：2025/8/25 4:14:27
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FGA24N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的高电压、大电流N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和马达控制等应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性。FGA24N50封装形式为TO-247，适用于高功率密度和高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：24A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
FGA24N50具备多项优异的电气和物理特性，适合高性能电源应用。首先，其高击穿电压（500V）使其能够承受高电压应力，适用于多种高电压开关应用。其次，低导通电阻（Rds(on)）为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的连续漏极电流能力为24A，能够支持大功率负载的驱动。此外，FGA24N50的栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力和稳定性。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定运行。FGA24N50还具有快速开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC变换器。其内部结构优化，减少了寄生电容，从而降低了开关损耗并提高了整体系统性能。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长期运行而不影响性能，提高了系统的可靠性和使用寿命。
FGA24N50适用于多种高电压和大电流的电源应用。在开关电源中，它被广泛用于PFC（功率因数校正）电路、半桥或全桥拓扑结构，以实现高效率的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高边和低边开关，支持多种拓扑结构如Buck、Boost和Flyback，适用于工业电源、通信电源和服务器电源等场景。在逆变器系统中，FGA24N50可用于驱动电机或UPS（不间断电源）系统，提供稳定可靠的开关性能。此外，它还可用于马达控制、电焊设备、感应加热器和太阳能逆变器等高功率电子设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。
FGA25N50、FGA30N50、IRFBC40、STP25NM50
