时间：2025/9/14 13:30:33
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BUK7613-100E,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子等领域。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（Tc=25℃）
功耗(Ptot)：310W
导通电阻(Rds(on))：3.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-220AB
引脚数：3
极性：N沟道增强型
BUK7613-100E,118具有优异的电气性能和热稳定性，适合高功率密度应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；同时具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。该MOSFET采用耐用的硅基TrenchMOS结构，提供良好的抗雪崩能力，适用于频繁开关操作。此外，其封装形式（TO-220AB）具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V或10V），方便与控制器（如MCU或PWM控制器）配合使用。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，有助于提高系统的稳定性和安全性。在设计中使用BUK7613-100E,118可以有效减少外部元件数量，简化电路设计并提升整体系统性能。
BUK7613-100E,118常用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、逆变器以及汽车电子中的各种高电流控制应用。其优异的性能也使其适用于工业自动化设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动工具等产品中。
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"BUK7614-100E",
"IRF1404",
"SiHH100N6",
"FDP80N10"
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