时间：2025/8/9 13:38:32
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FMW59N25G是一款功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用中。它属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于多种电源管理与转换电路。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：250V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：59A（最大值）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.055Ω
功率耗散(Pd)：420W
工作温度范围：-55°C至175°C
FMW59N25G具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中效率更高，功耗更低。此外，该器件设计有高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。其封装形式通常为TO-247，便于散热和安装。器件的栅极设计使其在高频应用中表现出色，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等场景。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会显著降低性能。其快速开关特性减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。另外，FMW59N25G具有较高的耐用性，可承受短时间的过载和瞬态电压冲击。
FMW59N25G主要应用于高功率开关电路，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。它也常用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器及电动汽车充电系统等需要高效能功率管理的场合。
IXFH59N25、IRF59N25、STP59N25
