F30N06LE 时间：2025/8/24 19:39:25 阅读：14

F30N06LE 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：30A
　　导通电阻 Rds(on)：65mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散 PD：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

F30N06LE 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 65mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的最大漏极电流能力，可支持高达 30A 的连续漏极电流，适用于需要高负载能力的电源设计。
　　其栅源电压耐受范围为 ±20V，允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作，同时具备良好的抗过压能力。
　　该器件的封装形式为 TO-220，便于散热设计和安装，适用于多种 PCB 布局场景。
　　此外，F30N06LE 在高温环境下仍能保持良好的工作稳定性，其工作温度范围可达 -55°C 至 +175°C，适应工业级和汽车级应用需求。
　　由于其良好的热稳定性和电流处理能力，F30N06LE 被广泛用于电源管理、逆变器、马达控制、电池管理系统等高可靠性要求的电子系统中。