时间：2025/9/2 1:50:17
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H26M64103EMR(32GB) 是一款由SK Hynix（海力士）生产的32GB容量的NAND闪存芯片。该芯片主要用于高性能存储应用，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统和移动设备等。H26M64103EMR属于3D NAND技术的产品，具有较高的存储密度和较长的使用寿命。该芯片封装形式为BGA，适合高密度PCB布局，并支持高速数据读写。
容量：32GB
封装类型：BGA
接口类型：ONFI 3.0/ Toggle Mode 2.0
电压范围：1.8V/3.3V
读取速度：最高可达500MB/s
写入速度：最高可达400MB/s
工作温度范围：0°C至85°C
擦写次数：约3000 P/E cycles
H26M64103EMR(32GB) 采用先进的3D NAND技术，提供了更高的存储密度和更出色的可靠性。其3D堆叠结构不仅提升了存储容量，还有效降低了单位存储成本。该芯片支持ONFI 3.0和Toggle Mode 2.0两种接口标准，兼容多种存储控制器，确保了广泛的应用适应性。
此外，H26M64103EMR具有良好的数据保持能力，在正常工作条件下可保持数据完整性超过10年。该芯片内置错误检测与纠正（ECC）功能，能够自动检测并纠正数据错误，提升数据存储的可靠性。
在功耗方面，H26M64103EMR采用了低功耗设计，支持多种节能模式，适用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。其1.8V/3.3V双电压供电方式，确保了与不同系统平台的兼容性。
H26M64103EMR(32GB) 主要用于高性能存储解决方案，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、工业计算机、平板电脑和高端智能手机。其高容量和低功耗特性使其成为便携式设备和嵌入式应用的理想选择。此外，该芯片也适用于需要高可靠性和长寿命的工业级存储系统，如监控设备、车载导航系统和智能终端设备。
H26M64103EMR的替代型号包括H26M64104EMR（64GB版本）和H26M64102EMR（16GB版本）。此外，其他厂商的类似产品如三星K9WBG08U5M和美光MT29F32G08CBADAW等也可作为替代选择。
