型号：B4384
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：30 V
　　最大栅源电压（V_GS）：±20 V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：22 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：80 A
　　最大功耗（P_D）：2.5 W
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=10V：4.5 mΩ
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=4.5V：6.0 mΩ
　　阈值电压（V_GS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　栅极电荷（Q_g）@10V：35 nC
　　输入电容（C_iss）：1300 pF
　　输出电容（C_oss）：490 pF
　　反向恢复时间（t_rr）：27 ns
　　工作结温范围（T_J）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

B4384采用Vishay先进的沟道沟槽MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，显著降低了在大电流应用中的导通损耗。其R_DS(on)在V_GS=10V时仅为4.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，这使得它非常适合用于高效率同步整流和低电压大电流开关电源设计。这种低R_DS(on)特性不仅提高了整体系统的能效，还有助于减少发热，从而延长系统寿命并降低对散热结构的要求。
　　该器件的栅极电荷（Q_g）仅为35nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于提升高频开关应用中的效率。同时，较低的输入电容（C_iss=1300pF）也减小了驱动电路的负载，使控制器更容易快速充放电栅极，加快开关速度，进一步降低开关损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要，尤其是在轻薄型电子产品如智能手机充电器、平板电脑电源模块中。
　　B4384采用PowerPAK SO-8封装，这是一种无引脚的表面贴装封装，具有优异的热传导性能和更小的寄生电感。相比传统的SO-8封装，PowerPAK版本底部带有暴露焊盘，可以直接连接到PCB的热沉区域，有效将芯片产生的热量传导出去，提高功率密度和长期运行的可靠性。此外，该封装符合RoHS标准，支持无铅回流焊接工艺，适应现代绿色制造需求。
　　器件的工作结温范围为-55°C至+150°C，表明其可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路以及户外设备等复杂应用场景。同时，B4384具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载突变时提供一定的自我保护机制，防止因电压尖峰导致永久性损坏。其内置的体二极管也具有较快的反向恢复时间（t_rr=27ns），有利于减少换流过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　总体而言，B4384以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电源管理系统中理想的功率开关选择。无论是作为上桥臂或下桥臂开关，还是用作负载开关或电池隔离开关，都能展现出卓越的综合性能。

B4384广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中，典型用途包括同步降压转换器中的主开关管，尤其在笔记本电脑主板、GPU供电模块和CPU核心电压调节模块中表现突出。其低导通电阻和快速开关特性使其能够满足现代多相VRM（电压调节模块）对效率和响应速度的高要求。此外，该器件也常用于DC-DC电源模块、POL（Point-of-Load）转换器以及电信和网络设备中的板载电源系统。
　　在便携式消费电子产品中，B4384被用于电池供电系统的电源路径管理，例如在智能手机、平板电脑和移动电源中作为充电开关或放电开关使用。其高电流承载能力和低静态功耗有助于延长电池续航时间，并提升充电效率。同时，它也可作为热插拔电路中的功率开关，提供平滑的上电过程和过流保护功能。
　　在电机控制领域，B4384可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件。其快速的开关响应和低损耗特性有助于实现精确的速度和位置控制，同时减少发热问题。此外，该器件还可用于LED背光驱动、LCD面板电源开关以及各类家用电器中的智能电源控制模块。
　　由于其优异的热性能和紧凑封装，B4384特别适合空间受限但功率密度要求高的应用场景。例如，在无人机飞控电源、便携医疗设备和工业传感器节点中，都需要在有限空间内实现高效的电源管理，而B4384正好满足这一需求。

Si4336BDY-T1-GE3,Si4397EDY-T1-GE3,IRLHS6276PbF