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CXK5465J-30 发布时间 时间:2025/8/18 2:14:00 查看 阅读:4

CXK5465J-30是一种高压、高速功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率转换应用。该器件由多家半导体制造商生产,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和快速开关特性,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池管理系统等场合。CXK5465J-30采用TO-263或TO-220等封装形式,具备良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):500V
  漏极-栅极电压(Vdg):500V
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):15A(在25°C)
  脉冲漏极电流(Idm):60A
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):60nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-263(D2Pak)、TO-220等

特性

CXK5465J-30是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括高耐压能力(500V Vds)和低导通电阻,使其在高电压应用中能够实现较低的导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有快速的开关速度,有助于降低开关损耗,提高电源转换器的工作频率,从而减小外围元件的尺寸和重量。
  其栅极电荷(Qg)为60nC,意味着在高频开关应用中需要一定的驱动功率,因此在设计驱动电路时需注意选择合适的驱动IC和驱动能力。此外,该器件具备良好的热稳定性,在高电流工作条件下仍能保持稳定性能,适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。
  CXK5465J-30的封装形式(如TO-263或TO-220)提供了良好的散热性能,支持较大的连续工作电流(15A),并可在高温环境下稳定运行。同时,其栅极保护电压(±30V)较高,增强了在复杂电磁环境中的抗干扰能力,减少了因过电压而导致器件损坏的风险。
  该MOSFET的制造工艺采用先进的平面技术,确保了器件的稳定性和一致性,适用于多种拓扑结构,如Buck、Boost、Flyback、Forward等DC-DC转换器,以及PFC(功率因数校正)电路和电机驱动电路。

应用

CXK5465J-30广泛应用于各种高电压、中高功率的电子系统中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。例如:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关器件,用于构建Buck、Boost、Flyback等拓扑结构的电源转换器。
  2. DC-DC转换器:适用于工业电源、通信电源、服务器电源等设备中的电压转换电路。
  3. 功率因数校正(PFC):在PFC电路中作为开关器件,提高电源系统的功率因数并降低谐波失真。
  4. 电机驱动器:用于无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,实现高效能的电机控制。
  5. 电池管理系统(BMS):作为高边或低边开关,用于电池充放电控制和保护电路。
  6. LED驱动电源:用于高功率LED照明系统的电源管理电路中。
  7. 工业自动化与控制系统:适用于工业设备中的电源模块和驱动电路。

替代型号

IXTP14N50X、STP15NK50Z、IRFBC40、FDPF5N50、FQA16N50

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