时间：2025/4/28 11:43:30
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NUF6105FCT1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。这种器件适用于各种需要高效功率转换的应用场景，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等。该器件封装形式为 TO-277A（PDFN5x6），具备良好的散热特性和小型化设计，适合对空间有限制的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
工作结温范围：-55℃~175℃
总功耗：3.9W
封装类型：TO-277A（PDFN5x6）
NUF6105FCT1G 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
其高开关速度和快速瞬态响应使得该器件非常适合高频应用环境。
此外，该 MOSFET 的高工作结温范围 (-55℃ 至 +175℃) 确保了在极端温度条件下的可靠性。
由于采用了 PDFN5x6 封装，这款 MOSFET 提供了卓越的热性能，同时保持了紧凑的尺寸，有助于实现更小的 PCB 占位面积。
该器件还具备优秀的抗雪崩能力和静电防护性能，提高了整体系统的稳健性。
NUF6105FCT1G 广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域中的多种电路。
典型应用场景包括但不限于：笔记本电脑适配器、手机充电器、LED 驱动器、电机控制器、电池管理系统 (BMS) 和 DC-DC 转换模块。
它的高性能和小型化设计使其成为现代电子产品中不可或缺的功率开关组件。
NUD6105FCT1G
STP55NF06L
IRLB8748PBF
