类型：GaAs HBT射频功率晶体管
　　频率范围：800 MHz - 1000 MHz（UHF频段）
　　输出功率：典型值为 30 W（连续波）
　　增益：22 dB（典型值）
　　效率：50% 以上
　　工作电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMT），7引脚陶瓷封装
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RF5426TR7X 是一款专为高性能射频功率放大设计的 GaAs HBT 晶体管，其主要特性包括高增益、高效率和宽频率响应。该器件在800 MHz至1 GHz的UHF频段内表现出色，能够提供高达30 W的连续波输出功率，非常适合用于基站、无线基础设施和宽带通信设备中的功率放大级。
　　该器件采用了先进的 GaAs HBT 技术，具备优异的热稳定性和可靠性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。其典型增益为22 dB，确保在单级放大器设计中即可实现高性能，减少了外围元件的需求，提高了系统的集成度和稳定性。
　　RF5426TR7X 的工作电压为 +28V，支持高效率的功率输出，适用于电池供电或需要高能效的应用场景。其封装形式为7引脚陶瓷表面贴装封装（SMT），便于自动化生产和高频电路布局，同时具有良好的散热性能，确保长时间工作的稳定性。
　　该晶体管还具有良好的线性度和失真特性，在多载波通信系统中能有效减少互调失真，提升信号质量。此外，其50Ω的输入/输出阻抗匹配简化了外围电路的设计，减少了匹配网络的复杂性，降低了设计和调试的时间成本。

RF5426TR7X 主要用于 UHF 频段的射频功率放大器设计，广泛应用于无线基础设施、蜂窝通信基站、宽带无线接入系统、工业和科学仪器、军事通信设备以及广播和测试设备等领域。由于其高可靠性和良好的性能表现，该器件也常用于需要高线性度和高效率的多载波通信系统，如 GSM、CDMA 和 LTE 等无线通信标准的功率放大模块设计。

RF5426TR7、RF5425TR7、MRF6V2030N、CMF5426TR7X